開(kāi)關(guān)電源芯片U6113在同一塊晶元上同時(shí)集成了高壓功率MOSFET和控制器。U6113內(nèi)部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護(hù)功能使其適用于LED照明的應(yīng)用中，是帶有準(zhǔn)諧振式的降壓型功率開(kāi)關(guān)器。U6113的工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對(duì)于VDD電容大小的要求，同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率。

#在 40V LED 輸出電壓下：

175~265VAC：120mA   85~265VAC：100mA

#在 60V LED 輸出電壓下：

175~265VAC:100mA    85~265VAC：90mA

在開(kāi)關(guān)電源芯片U6113芯片內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET關(guān)斷時(shí)，5.8V的穩(wěn)壓器就會(huì)從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET導(dǎo)通的時(shí)候，5.8V穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運(yùn)行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，開(kāi)關(guān)電源芯片U6113利用檢測(cè)流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門(mén)極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開(kāi)始諧振過(guò)程。此過(guò)程中MOSFET的Drain端電壓開(kāi)始下降 ，同時(shí)會(huì)有一由地到MOSFET Drain端的負(fù)向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時(shí)，會(huì)有一正向電流流經(jīng)Crss電容。

開(kāi)關(guān)電源芯片U6113集成有內(nèi)部過(guò)熱功率補(bǔ)償功能。當(dāng)芯片的結(jié)溫超過(guò) 150℃后，系統(tǒng)輸出的電流開(kāi)始逐漸降低。在此模式下，輸出功率和系統(tǒng)的溫度都被降低，提高了系統(tǒng)的可靠性。為了避免當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí)由線(xiàn)路中寄生電感引起的電壓振蕩造成電流過(guò)零檢測(cè)電路的誤觸發(fā)，在U6113 內(nèi)部設(shè)計(jì)有最小關(guān)斷時(shí)間模塊（典型值 2us）。芯片的最大關(guān)斷時(shí)間典型值為 250us。