無需輔助繞組的電流過零檢測技術(shù)，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數(shù)量，還能準(zhǔn)諧振模式降低開關(guān)損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護、過熱保護等多重安全機制。總的來說，可顯著簡化電路設(shè)計，同時滿足高精度、高可靠性的應(yīng)用需求。銀聯(lián)寶電源芯片U6113具備此功能！

為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降，同時會有一由地到MOSFET Drain端的負向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時，會有一正向電流流經(jīng)Crss電容。

電源芯片U6113主要特性：

1、內(nèi)部集成 550V 高壓 MOSFET

2、±4% 恒流精度

3、超低 VDD 工作電流

4、準(zhǔn)諧振工作模式提高系統(tǒng)效率

5、無需輔助繞組

6、集成式高壓電流源提高啟動速度

7、集成式線電壓補償優(yōu)化調(diào)整率

8、集成式過熱功率補償

9、內(nèi)部保護功能:

LED 開路和短路保護

芯片過熱保護

逐周期電流限制

前沿消隱

腳位懸空保護

VDD 腳欠壓保護

10、極簡封裝：TO-92

在電源芯片U6113內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET 關(guān)斷時，5.8V的穩(wěn)壓器就會從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET導(dǎo)通的時候，5.8V穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。

電源芯片U6113的電流過零檢測技術(shù)主要通過芯片內(nèi)部集成的高壓檢測電路或寄生參數(shù)采樣實現(xiàn)，超低（典型值為140uA）的工作電流，綜合考慮精度、成本和安全性要求，是一款經(jīng)典的低耗低成本LED驅(qū)動場景應(yīng)用電源方案！