開關(guān)電源芯片U6113在同一塊晶元上同時集成了高壓功率MOSFET和控制器。U6113內(nèi)部高度集成的高精度恒流控制電路和完備的保護功能使其適用于LED照明的應(yīng)用中，是帶有準(zhǔn)諧振式的降壓型功率開關(guān)器。U6113的工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求，同時也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率。
#在 40V LED 輸出電壓下：
175~265VAC：120mA85~265VAC：100mA
#在 60V LED 輸出電壓下：
175~265VAC:100mA85~265VAC：90mA
在開關(guān)電源芯片U6113芯片內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET關(guān)斷時，5.8V的穩(wěn)壓器就會從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET導(dǎo)通的時候，5.8V穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。
為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，開關(guān)電源芯片U6113利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降 ，同時會有一由地到MOSFET Drain端的負向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時，會有一正向電流流經(jīng)Crss電容。
開關(guān)電源芯片U6113集成有內(nèi)部過熱功率補償功能。當(dāng)芯片的結(jié)溫超過 150℃后，系統(tǒng)輸出的電流開始逐漸降低。在此模式下，輸出功率和系統(tǒng)的溫度都被降低，提高了系統(tǒng)的可靠性。為了避免當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時由線路中寄生電感引起的電壓振蕩造成電流過零檢測電路的誤觸發(fā)，在U6113 內(nèi)部設(shè)計有最小關(guān)斷時間模塊（典型值 2us）。芯片的最大關(guān)斷時間典型值為 250us。