同步整流芯片的原理是利用MOSFET管作為開關，控制輸出電壓的變化。在MOSFET管導通時，能量從輸入端流向負載，同時輸出電壓上升；在MOSFET管截止時，負載上的電流會產(chǎn)生電感反向電勢，反向電勢會將能量反饋到輸入端，從而提高整個系統(tǒng)的效率。

U7611X系列同步整流芯片是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7611X 內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。

U7611X系列同步整流芯片的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力，可支持斷續(xù)工作模式 (DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關誤開通。

PCB設計對同步整流的性能會產(chǎn)生顯著影響，設計同步整流電路時建議參考規(guī)格書內容。包含U7611X系列同步整流芯片、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。

1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測點離Drain引腳越遠，CCM應力越小。

4. R1和C1構成同步整流開關的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5. Drain引腳的PCB散熱面積盡可能大。

在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，U7611X系列同步整流芯片處于關機狀態(tài)。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到 VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF(典型值 3.3V)后，芯片關機，副邊繞組電流Is經(jīng)內置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

U7611X系列同步整流芯片能夠實現(xiàn)高效的電能轉換，減小能量損耗，并且能夠將負載產(chǎn)生的能量反饋到輸入端，從而提高效率。可以應用于電源電路、DC-DC變換器等領域，有著廣泛的應用前景。