對于開關(guān)電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動式器件，但容易導(dǎo)致電源效率降低，損耗產(chǎn)生的高溫帶來新的問題。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺了。同步整流ic U7711HS高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統(tǒng)成本，值得了解！

同步整流ic U7711HS是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7711HS支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，同時支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。U7711HS內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統(tǒng)成本。U7711HS內(nèi)部集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。

同步整流ic U7711HS主要特點：

1. 反激拓撲副邊同步整流功率開關(guān)

2. 支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲

3. 支持斷續(xù)工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)

4. <300uA 超低靜態(tài)電流

5. 內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電

6. 內(nèi)置 40V 功率 MOSFET

7. 內(nèi)部集成保護：

VDD欠壓保護(UVLO)

VDD電壓鉗位(>5mA 鉗位電流)

8. 封裝信息 SOP-8

在原邊MOSFET導(dǎo)通期間，同步整流ic U7711HS內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右?；诟哳l解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。系統(tǒng)開機以后，芯片內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。想要提供更高轉(zhuǎn)換效率的電源轉(zhuǎn)換器，記得選擇同步整流ic U7711HS！