集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能的電源管理芯片U8733
驅(qū)動(dòng)電流分檔功能是指通過(guò)配置不同的分壓電阻值來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流的檔位,從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中,如電源管理芯片U8733,集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能,采用此芯片,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以根據(jù)具體需求選擇最優(yōu)的工作模式,減少電磁干擾(EMI),同時(shí)優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。
電源管理芯片U8733集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8733通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8733系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí),當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí),將原邊開(kāi)通速度減半,減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。
電源管理芯片U8733采用ESOP-7封裝,具體腳位如下:
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP /UVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 NTC I/O 外置溫度檢測(cè),過(guò)溫降功率和過(guò)溫保護(hù)功能。
6、7 GND P 芯片參考地
8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳
電源管理芯片U8733還是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān),可以讓充電器在體積縮小的情況下,依然能夠提供較高的充電功率,相比傳統(tǒng)充電器,體積大幅減小,但充電速度卻更快,為人們的生活帶來(lái)了極大便利,可以一試!
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