同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7612 內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。

同步整流芯片U7612 的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式 (DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式 (QR) 及連續(xù)工作模式 (CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通。

同步整流芯片U7612主要特點：

& 內(nèi)置 60V MOSFET

& 支持反激、有源鉗位反激拓?fù)?/span>

& 支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式

& 集成 180V 高耐壓檢測電路和高壓供電電路，無需 VDD 輔助繞組供電

& 支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域

& 支持 High Side 和 Low Side 配置

& <30ns 開通和關(guān)斷延時

& 智能開通檢測功能防止誤開通

& 智能過零檢測功能

& 啟動前 Gate 智能鉗位

& 封裝類型 SOP-8

同步整流芯片U7612在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前，芯片處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.5V) 后，芯片關(guān)機，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。

同步整流芯片U7612引腳說明：

1 HV I漏極檢測引腳。HV 到 Drain 建議串聯(lián) 30~200Ω 的電阻，推薦典型值 100Ω

2 VDD P IC 供電引腳，VDD 到 GND 建議放置一個 1μF 的貼片陶瓷電容

3/4 GND G IC 參考地

5/6/7/8 Drain P 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極