電源芯片SF1538DP動態(tài)調(diào)整率好精度高
副邊反饋控制(SSR)方案,空載范圍大都可以空載在±0.2V以內(nèi),動態(tài)調(diào)整率較好。比如在充電器領(lǐng)域,直接對電池充電的應(yīng)用,一般會對空載電壓精度要求高,可以選擇副邊電源IC+恒流芯片來做。副邊電源芯片SF1538DP既可達(dá)到要求,又可以節(jié)約成本,今天就分享給小伙伴們!
電源芯片SF1538DP封裝形式DIP-8,內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V;可編程外部過溫保護(hù)OTP,專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失??;內(nèi)置4ms軟啟動,管腳浮空保護(hù),超低啟動電流;內(nèi)置頻率抖動改善EMI,內(nèi)置高低壓過濾補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線;內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償,逐周期電流限制;內(nèi)置前沿消隱。
電源芯片SF1538DP引腳說明:
1 RT 此引腳是控制開關(guān)頻率。
2 VDD 芯片供電腳。
3 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。
4 CS 電流采樣輸入腳。
5-6 Drain 內(nèi)置功率MOSFET漏極。
7-8 GND 芯片參考地。
電源芯片SF1538DP極大的提高了芯片的利用率,主要特點(diǎn)有:
& 內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V
& 可編程外部過溫保護(hù)OTP
& 專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
& 內(nèi)置軟啟動,管腳浮空保護(hù)
& 超低啟動電流
& 內(nèi)置頻率抖動改善EMI
& 內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償,逐周期電流限制
& 內(nèi)置前沿消隱
電源芯片SF1538DP在230VAC(±15%)下,典型輸出功率18W-26W;在85-265VAC下,典型輸出功率15W-18W。支持手持?jǐn)?shù)碼適配器,電視、電腦輔助電源,手機(jī)、平板充電器,LED驅(qū)動電源和替代線性電源等應(yīng)用。對需要一顆副邊反饋/內(nèi)置MOSFET小功率電源芯片的小伙伴來說,值得考慮入手這款電源芯片SF1538DP!
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