為了滿足嚴(yán)苛的平均效率和待機功耗要求，充電器芯片U6215B采用了調(diào)幅控制（AM）和調(diào)頻控制（FM）結(jié)合的多模式控制技術(shù)。 接近滿載輸出時，系統(tǒng)工作在調(diào)頻工作模式中；在輕重載條件下，系統(tǒng)工作在調(diào)頻工作和調(diào)幅工作模式中；當(dāng)系統(tǒng)接近空載輸出時，系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中以降低待機功耗。利用此種控制技術(shù)，系統(tǒng)可以獲得低于70mW的待機功耗。

充電器芯片U6215B可替換OB25132、OB25133，腳位如下：

1 VDD 芯片供電腳。

2 、3FB 系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至 FB 管腳，用于CV 模式輸出電壓控制及 CC 模式輸出電流控制。

4 CS 電流采樣輸入腳。

5-6 C 內(nèi)置功率三極管集電極。

7 GND 芯片參考地。

充電器芯片U6215B主要特性：

R 內(nèi)置超高壓功率 BTJ

R 谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高                       

R 多模式原邊控制方式

R 優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)

R 集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路

R 工作無異音

R 優(yōu)化的 EMI 性能

R 恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%

R 超低待機功耗 <70mW

R CV 模式可編程輸出線壓降補償

R 內(nèi)置完善的保護(hù)功能：

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

逐周期限流保護(hù)（OCP)

前沿消隱 (LEB)

芯片過熱保護(hù) (OTP)

VDD 過壓、欠壓和箝位保護(hù)

輸出過壓保護(hù)功能 (FB OVP)

R SOP-7 封裝

充電器芯片U6215B尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。在手機充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。在U6215B 內(nèi)部存在由線損補償模塊控制的可調(diào)式電流源流出到與 FB 管腳相連的分壓電阻上并產(chǎn)生一定的電壓偏置信號。此電流正比于開關(guān)周期，而反比與輸出功率，所以在電纜上的電壓降可以被補償?shù)?。隨著負(fù)載功率的降低，在 FB 上的偏置電壓將被提高。通過調(diào)節(jié)分壓電阻 R1 和 R2 的阻值可以調(diào)節(jié)實際補償量的大小，獲得更高性能！