深圳銀聯(lián)寶科技生產(chǎn)研發(fā)的充電器芯片具有高性能、低功耗的特性，很多芯片方案反饋頗佳，已在市場被反復(fù)驗證。好品質(zhì)加上好方案，更是為芯片替代提供了堅實的基礎(chǔ)。比如這款充電器芯片U6120D，可以有效替代CR5259，得到了很多客戶的肯定。

充電器芯片U6120D是一種高性能的電流模式PWM離線反激變換器電源開關(guān)應(yīng)用。在U6120D中，內(nèi)部具有高精度65kHz開關(guān)頻率振蕩器，且?guī)в卸额l功能可優(yōu)化EMI性能。芯片采用綠色節(jié)能模式和打嗝模式工作，對于小于40W的應(yīng)用可以保證小于75mW的待機功耗，主要用于離線反激充電器、電機驅(qū)動器電源和適配器應(yīng)用。

在常規(guī)應(yīng)用中，當電流模式控制工作在50%以上的占空比時，穩(wěn)定性問題是一個關(guān)鍵問題。在充電器芯片U6120D中，通過在電流檢測輸入電壓上增加電壓斜坡來集成斜率補償電路，從而產(chǎn)生PWM。這大大提高了CCM的閉環(huán)穩(wěn)定性，防止了次諧波振蕩，從而降低了輸出紋波電壓。U6120D綠色模式操作極大的降低了開關(guān)損耗，提升了效率。

充電器芯片U6120D在90~264Vac時推薦輸出20W，在175-264Vac時推薦輸出24W?？梢杂行娲?/span>CR5259，引腳說明如下：

1 CS 電流采樣輸入腳。

2 GND 芯片參考地。

3 FB 系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳，用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。

4 VDD 芯片供電腳。

5、6、7、8 Drain 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。

充電器芯片U6120D主要特性：

1. 支持DCM和CCM控制

2. ±1%CV調(diào)節(jié)，快速動態(tài)回應(yīng)

3. 待機功耗<75mW

4. 電流模式控制

5. 固定65KHz開關(guān)頻率

6. 綠色省電模式工作，優(yōu)化的環(huán)路控制

7. 啟動和工作電流

8. 集成內(nèi)部斜率補償?shù)碾娏髂Ｊ娇刂?/span>

9. 集成線電壓和電感量補償?shù)暮懔骷夹g(shù)

10. 集成自恢復(fù)模式的保護功能：

VDD 欠壓保護（UVLO）

VDD 過壓保護 （OVP）

過熱保護（OTP）

逐周期電流限制

過載保護（OLP）

短路保護（SCP）

前沿消隱（LEB）

CS 管腳開路保護

11. 封裝DIP-8

盡管芯片市場面臨諸多挑戰(zhàn)，但換個思路、換個方式，尋找更多解決方案，依然可以積極應(yīng)對市場競爭壓力。攜手深圳銀聯(lián)寶科技充電器芯片，增強抵抗力，獲取更多發(fā)展機會！