主控芯片是構(gòu)建電子系統(tǒng)所不可缺少的核心芯片。從電路功能至應(yīng)用領(lǐng)域，它們可以滿足不同級(jí)別電子設(shè)備的要求。主控芯片的類型很多，其中包括可編程微控制器（MCU）、嵌入式處理器、微處理器、現(xiàn)代處理器、專用邏輯芯片和數(shù)模轉(zhuǎn)換器（ADC），等等。今天介紹的是應(yīng)用于快速充電器的主控電源芯片U8722！

快速充電器主控電源芯片U8722是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持 220kHz 開關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。

快速充電器電源芯片U8722管腳封裝形式有ESOP-7和HSOP-7兩種，ESOP-7管腳封裝為：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6/7 GND P 芯片參考地

8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動(dòng)供電管腳

快速充電器電源芯片U8722 HSOP-7管腳封裝為：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

6 VDD P 芯片供電管腳

4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

5 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動(dòng)供電管腳

在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN (典型值 0.4V) 時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作，停止開關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V) 時(shí)，快速充電器電源芯片U8722重新開始開關(guān)動(dòng)作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT 的閾值，實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化。

一旦檢測到故障，包含VDD過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、輸入欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、異常過流保護(hù)、輸出過流保護(hù)、輸出過載保護(hù)快速充電器電源芯片U8722立即停止開關(guān)動(dòng)作并進(jìn)入計(jì)時(shí)狀態(tài)，同時(shí)VDD電壓被高壓供電電路鉗位到VVDD_REG_ST (典型值12V)，經(jīng)過TRECOVERY (典型值1.3s) 時(shí)間后如果故障仍然存在，那么系統(tǒng)將繼續(xù)重復(fù)一個(gè)計(jì)時(shí)動(dòng)作，如果故障狀態(tài)消失，系統(tǒng)將重新啟動(dòng)，以提供最安全、最高效的保障！