30W集成高壓E-GaN快充芯片U8722CAS
有了氮化鎵等新型材料的加持,近兩年很多品牌都上線了各種氮化鎵快充充電器。氮化鎵充電器不但可以提高設(shè)備的充電效率,而且在體積、散熱等方面也有十分不錯(cuò)的表現(xiàn),加上技術(shù)的不斷完善和升級(jí),氮化鎵充電器價(jià)格也不斷下探。30W氮化鎵快充芯片U8722CAS成本低、質(zhì)量好,可以幫你緩解充電器成本焦慮。
30W氮化鎵快充芯片U8722CAS集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此U8722CAS通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。如下圖所示,通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度,系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8722CA系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí),當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí),將原邊開(kāi)通速度減半,減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。
30W氮化鎵快充芯片U8722CAS采用峰值電流控制模式,可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式,從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下,系統(tǒng)工作在QR工作模式,可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù),同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變,產(chǎn)生噪音,U8722CAS采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下,導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定,系統(tǒng)無(wú)噪音。隨著負(fù)載的逐漸降低,系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個(gè)數(shù)逐漸增加,當(dāng)谷底數(shù)超過(guò)6個(gè)時(shí),不再檢測(cè)谷底電壓,系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式,通過(guò)進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)頻率,減小開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。
30W氮化鎵快充芯片U8722CAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流,實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722CAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景!
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