智能手機(jī)在影像方面的表現(xiàn)日益成為消費(fèi)者關(guān)注的重點(diǎn)，而手機(jī)電池的續(xù)航力，亦是這一切的基礎(chǔ)。深圳銀聯(lián)寶科技作為手機(jī)充電器ic市場(chǎng)的佼佼者，一直致力于為用戶帶來卓越的充電體驗(yàn)，讓用戶隨時(shí)隨地捕捉生活中的美好瞬間。

在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。24W手機(jī)充電器ic U6221內(nèi)置線損補(bǔ)償功能，根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)整線損補(bǔ)償量，從而使得線纜輸出端獲得平直的恒壓輸出曲線。線損補(bǔ)償?shù)淖畲笾禐檩敵鲭妷旱?/span>3%。

深圳銀聯(lián)寶科技24W手機(jī)充電器ic U6221 PCB 設(shè)計(jì)對(duì)電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容：

1. 原邊主功率環(huán)路(Loop1)的面積應(yīng)盡可能小，同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。

2. RCD 吸收回路(Loop2)的面積應(yīng)盡可能小。

3. VDD 電容C3應(yīng)緊貼芯片，保證VDD回路(Loop3)的面積盡可能小。

4. 如Line1 所示，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對(duì)于芯片的干擾。

5. 如Line2 所示，VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。

MOSFET存在可觀的關(guān)斷延遲，會(huì)影響IC的恒流輸出性能。如果不做補(bǔ)償，高壓輸入下的OCP值會(huì)比低壓輸入高很多。24W手機(jī)充電器ic U6221內(nèi)置線電壓恒流補(bǔ)償電路，可以得到優(yōu)異的輸出電流調(diào)整率。U6221優(yōu)化設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能，可滿足USB充電器的要求。

24W手機(jī)充電器ic U6221集成了單點(diǎn)失效保護(hù)，包括FB上拉電阻開路保護(hù)、FB下拉電阻開路保護(hù)、FB下拉電阻短路保護(hù)、輸出二極管或者SR短路、RCS開路、變壓器繞組短路、IC GND管腳開路等保護(hù)。一旦故障發(fā)生，芯片將進(jìn)入保護(hù)模式并自動(dòng)重啟。IC的單點(diǎn)失效保護(hù)功能可以保證IC不損壞且輸出不產(chǎn)生過壓。

深圳銀聯(lián)寶科技為了確保能夠提供高質(zhì)量的手機(jī)充電器ic，不斷增加研發(fā)投入和技術(shù)支持，并完善售后服務(wù)的整體價(jià)值，給客戶如一的品質(zhì)和服務(wù)，以回饋廣大客戶的信任和支持！