- [行業(yè)新聞]談?wù)勲娫碔C2018年09月20日 11:25
- 電源IC，一種使用到電源管理芯片電路里的IC，很多電子愛好者都已是很熟悉了。今天和銀聯(lián)寶科技電源管理芯片IC廠家一起來聊聊電源IC和驅(qū)動的問題。 電源IC直接驅(qū)動是我們常用的驅(qū)動方式，同時也是簡單的驅(qū)動方式，使用這種驅(qū)動方式，應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。，查看一下電源IC手冊，其大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片，驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。，了解一下MOSFET的寄生電容，MOS管導通的需要的就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動峰值電流，那么管子
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- [關(guān)于產(chǎn)品]綠色節(jié)能電源芯片TB6806S ，為節(jié)約美德打call2018年09月11日 10:56
- 銀聯(lián)寶致力于面向綠色節(jié)能電源管理的半導體產(chǎn)品的開發(fā)與制造, 推出了一系列采用其自主開發(fā)的技術(shù)的綠色電源控制芯片，這些芯片可廣泛應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品與家電產(chǎn)品上的各類開關(guān)電源，其中TB6806S就是其中的一款。 電源芯片TB6806S是一款原邊反饋準諧振模式的AC/DC電源控制芯片，內(nèi)部集成了600V的高壓功率MOS管，用于充電器，適配器和LED驅(qū)動領(lǐng)域。實現(xiàn)±4%的恒壓恒流精度和小余70mW的待機功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補償功能。采用準諧振控制，實現(xiàn)率和
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- [常見問題]9926mos管SOP-8雙N溝道2.5-V（G-S）低壓MOSFET2018年08月22日 11:18
- 9926 mos管產(chǎn)品概要： 9926mos管是性能極高的溝槽N溝道MOSFET，具有很高的單元密度，可為大多數(shù)小功率開關(guān)和負載開關(guān)應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷，9926符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，并獲得的功能可靠性認證。 9926雙N溝道MOSFET特征： 低導通電阻 24mΩ@ V GS = 4.5V 29mΩ@ V GS = 2.5V 37mΩ@ V GS = 1.8V 低門限電壓 低輸入電容 快速切換速度 低輸入/輸出泄漏 無鹵素選項可用 TrenchFE
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- [關(guān)于產(chǎn)品]5V1A低成本率的充電器方案U6117S2018年08月21日 17:17
- 5V1A低成本率的充電器方案U6117S 深圳銀聯(lián)寶電子近期推出了低成本，小體積的5V1A充電器方案-U6117S，此款芯片是銀聯(lián)寶科技提供的。該方案在滿足了平均效率達到能效6級，可過EMI,原邊反饋，省去了431和光耦，節(jié)省成本，無需外部補償電容，同時還具備了短路保護、過壓保護和開環(huán)保護等保護功能，是一款綜合性能指標優(yōu)異性價比高的5V 1A充電器方案。 充電器方案U6117S是一款原邊反饋準諧振模式的AC/DC電源控制芯片，內(nèi)部集成了600V的高壓功率MOS管，用于充
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- [行業(yè)新聞]銀聯(lián)寶同步整流芯片TB8520在電源方案中起到重要作用2018年04月27日 14:21
- 同步整流芯片TB8520 同步整流定義廣泛，過去的電刷式直流發(fā)電機、電刷式變電器都算同步整流，現(xiàn)在的同步整流主要是指以MOS、IGBT為核心的開關(guān)電源整流電路，特征就是開關(guān)（開關(guān)晶體管、MOS管）的動作與流經(jīng)的電流相位一致（同步）；譬如某個晶體管總在變壓器輸出正半周時導通，負半周截止，這就實現(xiàn)了同步整流。 與二極管整流不同，MOS、晶體管導通時其通路壓降近乎為0V，因而發(fā)熱量極小。這是任何二極管都無法比擬的，即便是效率高的肖特基二極管（只有半個PN結(jié)），壓降也有
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- [行業(yè)新聞]15W開關(guān)電源芯片TB3815各腳的功能2018年01月02日 11:26
- 開關(guān)電源芯片TB3815各腳的功能以及調(diào)試中注意事項：1.VDD供電腳：TB3815 的啟動電流低1uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗，減小待機功耗。啟動閾值電壓13.6V 關(guān)斷閾值電壓7.6V，OVP電壓為30V。建議在調(diào)試計算中VCC輔助繞組電壓一般設(shè)置在20V內(nèi)， VCC電解推薦為10uF。2.CS原邊電流采樣端：CS端是原邊電流采樣端，峰值電流預檢測閾值是580Mv。當MOS管打開時，過沖電流會產(chǎn)生在采樣電阻上。為了避免開關(guān)誤操作，芯片內(nèi)置了一個前沿消隱LEB時間
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- [行業(yè)新聞]能效6級開關(guān)電源芯片2017年10月31日 08:56
- 相信電子界的許多工程師都在重視6級能效的電源驅(qū)動IC，現(xiàn)在市面上許多家都說有推出6級能效的電源驅(qū)動IC，跟著充電器六級能效規(guī)范的施行，其計劃需求日益火急，許多充電器工程師反映QR架構(gòu)計劃盡管效率余量更大，但比照PSR計劃的元件更多，調(diào)試出產(chǎn)更雜亂。故銀聯(lián)寶電子引入了六級能效電源驅(qū)動IC,比QR架構(gòu)更簡練更經(jīng)濟，提供給國內(nèi)本錢壓力大的充電器廠商一個六級能效電源驅(qū)動IC新挑選。 銀聯(lián)寶電子的6級能效電源驅(qū)動IC特性，外掛MOS管，為貼片SOT23-6封裝，全電壓輸入，大功
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- [行業(yè)新聞]5V開關(guān)電源芯片怎么選MOS管？2017年07月29日 11:28
- 準確挑選MOS管是很主要的一個環(huán)節(jié)，MOS管挑選欠好有也許影響到全部電路的功率和成本，了解不一樣的MOS管部件的細微差別及不一樣開關(guān)電路中的應(yīng)力可以幫助工程師防止許多疑問，5V開關(guān)電源芯片怎么選MOS管，下面咱們來學習一下MOS管的準確挑選方法。免費咨詢電話：400-778-5088
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- [常見問題]LED驅(qū)動芯片有哪五大調(diào)試技術(shù)？2017年03月03日 09:14
- 這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0。6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的大電流來自于驅(qū)動功率mos管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf)，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，想辦法降低c、v和f。如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的散熱吧。
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