銀聯(lián)寶同步整流芯片TB8520在電源方案中起到重要作用
同步整流芯片TB8520
同步整流定義廣泛,過去的電刷式直流發(fā)電機(jī)、電刷式變電器都算同步整流,現(xiàn)在的同步整流主要是指以MOS、IGBT為核心的開關(guān)電源整流電路,特征就是開關(guān)(開關(guān)晶體管、MOS管)的動(dòng)作與流經(jīng)的電流相位一致(同步);譬如某個(gè)晶體管總在變壓器輸出正半周時(shí)導(dǎo)通,負(fù)半周截止,這就實(shí)現(xiàn)了同步整流。
與二極管整流不同,MOS、晶體管導(dǎo)通時(shí)其通路壓降近乎為0V,因而發(fā)熱量極小。這是任何二極管都無法比擬的,即便是效率高的肖特基二極管(只有半個(gè)PN結(jié)),壓降也有0.35V,這樣如果系統(tǒng)需要100A電流的話,二極管就要消耗35W的功率來發(fā)熱。
做到這些的整流電路就是同步整流;
TB8520是一款高性能高集成度單片式次級(jí)同步整流控制IC,內(nèi)部集成一個(gè)導(dǎo)通阻抗的 N 溝道的 MOSFET 以及一個(gè)同步整流的驅(qū)動(dòng)及控制電路。
被設(shè)計(jì)在非連續(xù)開關(guān)模式(DCM)下工作,內(nèi)部集成高性能 N 溝道的 MOSFET 具有低開啟閥值電壓、導(dǎo)通阻抗,超快速開關(guān)特性,同時(shí)本體寄生的二極管具備超快速的反向恢復(fù)時(shí)間。
檢測(cè) MOSFET 的 VDS 之間的電壓變化產(chǎn)生一個(gè)理想的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來控制內(nèi)部 MOSFET 的導(dǎo)通與截止,在尺寸要求更小轉(zhuǎn)換效率要求更高的應(yīng)用場合采用 ?將為客戶提供一個(gè)優(yōu)異的解決方案。
在檢測(cè)到輸出輕載或者空載時(shí)自動(dòng)關(guān)閉內(nèi)部電路進(jìn)入睡眠模式,具有極低的靜態(tài)損耗。內(nèi)建完善的保護(hù)電路,當(dāng)電路處于不正常的狀態(tài)時(shí), 將觸發(fā)相應(yīng)的保護(hù)電路工作,控制器將關(guān)閉驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。
功能特性
●工作在非連續(xù)模式(DCM)的次級(jí)同步整流控制器
●內(nèi)部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅(qū)動(dòng)電路
●啟動(dòng)及靜態(tài)工作電流
●高集成度、只需極少的外圍器件
●完善的保護(hù)電路(OVP/UVLO)
●空載輕載損耗
應(yīng)用范圍
●適配器/充電器/ADSL 調(diào)制解調(diào)器
●輔助電源電路
●其他小功率電源電路
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