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熱門關(guān)鍵詞： 電源ic PD協(xié)議芯片開(kāi)關(guān)電源芯片電源管理芯片電源IC 充電器芯片適配器方案肖特基二極管 MOS管 MOS管 AP3401 SOT23

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: U3012(SOP-8)

內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無(wú)需外圍補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)能達(dá)到穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達(dá)到 85%）
外接一個(gè)小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個(gè)微調(diào)頻點(diǎn)以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SOP-8
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: 原邊13W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6773S

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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: 開(kāi)關(guān)電源芯片U6113

±3%LED恒流精度
恒流輸出值可調(diào)
1%線電壓補(bǔ)償精度
優(yōu)異地保護(hù)功能
過(guò)溫保護(hù)（OTP）
逐周期過(guò)流保護(hù)（OCP
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: PFC肖特基 PFR10L300CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: 霍爾IC FS319

由霍爾傳感器和輸出線圈驅(qū)動(dòng)程序組成的1芯片, 應(yīng)用于單相直流電機(jī)
霍爾效應(yīng)傳感器的高靈敏度適用于微型 cpu 冷卻器到鼓風(fēng)機(jī)和直流風(fēng)扇馬達(dá)
FS319, 高性能集成電路, 是專為單相直流電機(jī)電路
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: 副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF1539HT

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過(guò)溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF1539

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過(guò)溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF1538

副邊反饋/內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過(guò)溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5928S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無(wú)需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過(guò)壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)壓保護(hù)及鉗位
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: 原邊9W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5926S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無(wú)需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過(guò)壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)壓保護(hù)及鉗位
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: 原邊6W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5922S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無(wú)需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過(guò)壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊50W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF1530

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護(hù)
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
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: 副邊25W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5930

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無(wú)需光耦和TL431
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: 副邊25W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5920

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無(wú)需光耦和TL431
更多 +

: PFC肖特基 PTR30L80CT

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: PFC肖特基 PTR30L80CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)
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: PFC肖特基 PFR30L60CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開(kāi)關(guān)速度更快
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: 原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6315

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
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: 副邊65W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5533

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5938S

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng),啟動(dòng)電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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