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: 成本的5V2.4A充電器方案，精簡(jiǎn)BOM，非標(biāo)

輸入電壓：90-265Vac輸入
輸出功率：12W
QR-PSR控制提高工作效率
待機(jī)功耗：<75mW
平均效率：>83.33%,滿足六級(jí)能效要求
PSR控制模式，無(wú)光耦，無(wú)431
更多 +

: 成本的5V2A充電器方案，精簡(jiǎn)BOM，可認(rèn)證

輸入電壓：90-265Vac輸入
輸出功率：10W
QR-PSR控制提高工作效率
PSR控制模式，無(wú)光耦，無(wú)431
待機(jī)功耗：<75mW
平均效率：>83.33%,滿足六級(jí)能效要求
更多 +

: 低壓N溝道MOS管AP83T03K TO-252封裝

N溝道MOS
Lnw導(dǎo)通電阻
硅工藝技術(shù)
快速切換性能
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: P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管AP15P03Q DFN3*3

P溝道功率
極低的EDS（ON）
快速開關(guān)
阻抗值較小
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: AP120N03K低壓MOSTO-252封裝

N溝道MOS管
Lnw導(dǎo)通電阻
快速切換
阻抗值較小
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: AP3407增強(qiáng)型低壓功率低壓MOS管SOT23封裝

P溝道功率
便攜式設(shè)備負(fù)載開關(guān)
阻抗值較小
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: 低壓MOS管場(chǎng)效應(yīng)管AP3010 SOP-8封裝 N溝道MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)

SOP-8封裝
較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷，柵極工作電壓低
適用于保護(hù)電路，開關(guān)電路
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: 低壓MOS管 AP3401 SOT23

SOT23-3塑料封裝P道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，P溝道功率MOSFET
適用于作負(fù)載開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用
阻抗值較低
VDS（V）=-30V ID=-4.2A（VGS=-10V） RDS(ON)＜50mΩ（VGS=-10V） RDS(ON)＜65mΩ（VGS=-4.5V） RDS(ON)＜85mΩ（VGS=-2.5V
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: 低壓MOS管 AP2302 SOT23

P負(fù)載開關(guān)
便攜式設(shè)備負(fù)載開關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器
阻抗值較小
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: 低壓MOS管 AP2300 SOT23

低導(dǎo)通電阻150°C操作溫度
溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的通電阻
低導(dǎo)通電阻
快速切換
無(wú)鉛，符合RoHS要求
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: 低壓MOS AP8205 SOT23-6封裝

采用的溝槽技術(shù)
提供較小的導(dǎo)通電阻RDS（on）
低柵極電荷
柵極電壓低于2.5V
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: 非隔離3W開關(guān)電源方案U6110

過(guò)熱保護(hù)（OTP）
VCC欠壓閉鎖（UVLO）
過(guò)載保護(hù)（OLP）
短路保護(hù)（SCP）等
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: PWM 控制功率開關(guān)電源芯片U3211

集成 650V 高壓?jiǎn)?dòng)電路
多模式控制、無(wú)異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動(dòng)電路
內(nèi)部保護(hù)功能：
過(guò)載保護(hù) (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)
VDD 過(guò)壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)
更多 +

: PWM控制功率開關(guān)電源芯片U3210

集成 650V 高壓?jiǎn)?dòng)電路
多模式控制、無(wú)異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動(dòng)電路
內(nèi)部保護(hù)功能：
過(guò)載保護(hù) (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)
VDD 過(guò)壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)
更多 +

: 副邊15W開關(guān)電源芯片 U6203D

效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
更多 +

: 副邊15W開關(guān)電源芯片 TB3815

效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
更多 +

: 副邊65W開關(guān)電源芯片 TB3865

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動(dòng)電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
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: 副邊90W開關(guān)電源芯片TB3890

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: U321

靜態(tài)工作電流、過(guò)載保護(hù) (OLP/ )/ 短路保護(hù)
高壓?jiǎn)?dòng)電路和待機(jī)功耗（ <50mW ）
逐周期峰值電流限制和前沿消隱、軟驅(qū)動(dòng)電路
多模式 PWM 控制、軟啟動(dòng)、輸出過(guò)壓保護(hù)（ OVP ）
異常過(guò)流保護(hù)（ AOCP ）、VDD過(guò)壓保護(hù) (OVP)
過(guò)熱保護(hù)、優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響、可聞噪音
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: U3012(DIP-8)

內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無(wú)需外圍補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)能達(dá)到穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達(dá)到 85%）
外接一個(gè)小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個(gè)微調(diào)頻點(diǎn)以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SO-8
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