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副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護
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原邊12W開關(guān)電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6215
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護
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副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533
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副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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副邊18W開關(guān)電源芯片 SF5549H
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副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
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原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6022
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作，
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復(fù)間隙
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
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原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關(guān)電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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隔離36W開關(guān)電源芯片 SFL950
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提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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副邊50W開關(guān)電源芯片 SF5773
品牌：銀聯(lián)寶電子更多 +
型號：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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副邊15W開關(guān)電源芯片 SF5539H
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
- [公司新聞]氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W2025年04月10日 10:19
- 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS耐壓700V，采用ESOP-7，編帶盤裝，5000顆/卷，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。 氮化鎵電源芯片U8722FE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片
- 閱讀（3） 標簽：
- [公司新聞]E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦2025年04月03日 11:09
- E-GaN電源芯片U8722EE，推薦搭配銀聯(lián)寶同步整流芯片U7110W、U7612A，分別可做PD 45W、PD 30W方案，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景！ ■PD45W方案：U8722EE+U7110W 針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。E-GaN電源芯片U8722EE集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boos
- 閱讀（10） 標簽：
- [公司新聞]20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案U8621+ U7610C2025年04月03日 10:37
- 恒功率一般通過動態(tài)補償和多模式切換等方式實現(xiàn)，通占空比動態(tài)調(diào)整，確保輸入電壓波動時輸出功率穩(wěn)定，另外根據(jù)FB腳電平自動切換打嗝模式、變頻模式、恒功率模式，優(yōu)化全負載效率。銀聯(lián)寶電源芯片U8621支持快充適配器應(yīng)用，具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點。再搭配同步整流芯片U7610C，打造出一款優(yōu)質(zhì)耐用的20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案！ 銀聯(lián)寶電源芯片U8621特性： * 固定 65K 赫茲的開關(guān)頻率 * 內(nèi)置抖頻技
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]高精度高兼容性小家電開關(guān)電源芯片U6773S2025年04月02日 14:55
- 小家電作為智能家居的入門級產(chǎn)品，以超高的性價比優(yōu)勢風靡消費市場。得益于國產(chǎn)小家電開關(guān)電源芯片的單顆價格成本下降，推動了小家電的迅速普及和銷量暴增。預(yù)計未來智能家電市場滲透率超60%，將直接帶動開關(guān)電源芯片市場規(guī)模擴張。深圳銀聯(lián)寶科技將持續(xù)為您供應(yīng)優(yōu)質(zhì)的開關(guān)電源芯片，做好服務(wù)，做好支持！ 銀聯(lián)寶今日推薦的開關(guān)電源芯片U6773S，在176VAC-265VAC推薦輸出15W，在85VAC-265VAC推薦輸出12W，高集成度高性價比，不僅內(nèi)部元器件的品質(zhì)好，有認證，還具有多模式控
- 閱讀（13） 標簽：
- [公司新聞]無需輔助繞組的電流過零檢測電源芯片U61132025年03月31日 10:48
- 無需輔助繞組的電流過零檢測技術(shù)，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數(shù)量，還能準諧振模式降低開關(guān)損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護、過熱保護等多重安全機制?？偟膩碚f，可顯著簡化電路設(shè)計，同時滿足高精度、高可靠性的應(yīng)用需求。銀聯(lián)寶電源芯片U6113具備此功能！ 為了保證系統(tǒng)工作在準諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧
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