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電源芯片U6205D
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高性能電流模式PWM電源開關(guān)
適用于離線反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
簡化了隔離電源設(shè)計
混洗的PWM開關(guān)頻率固定為65KHz
內(nèi)置綠色和突發(fā)模式控制
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U6271S電源管理芯片IC
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集成 650V MOSFET
多模式原邊控制方式
優(yōu)化的動態(tài)響應(yīng)
集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補償
封裝形式 SOP-8
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TB1210開關(guān)電源芯片
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集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
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U6335開關(guān)電源管理芯片
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封裝形式 SOP-7
帶VDD低壓自供電功能，變壓器可去除輔助繞組
集成 800V 高壓功率 BJT
±5% 恒流、恒壓精度
多模式原邊控制方式
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U6202SC開關(guān)電源芯片
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支持DCM和CCM的原邊恒流、副邊恒壓控制
±1%恒壓精度，±4恒流精度，待機(jī)功耗＜70mW
滿載固定65KHz開關(guān)頻率，輕載Burst Mode
綠色省電模式，優(yōu)化的環(huán)路控制，啟動和工作電流
集成抖頻功能優(yōu)化EMI，集成線電壓、電感恒流補償技術(shù)
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U6615S電源芯片ic
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多模式原邊控制方式
工作無異音
優(yōu)化的動態(tài)響應(yīng)
可調(diào)式線損補償
集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補償
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U6605D開關(guān)電源芯片
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集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒壓精度
待機(jī)功耗<70mW
多模式原邊控制方式
工作無異音
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U6115S電源ic
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封裝引腳：SOP-8
700V BJT驅(qū)動器集成的驅(qū)動器
待機(jī)<70mW
±4%CC和CV精度
集成線損補償技術(shù)
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原邊20W開關(guān)電源芯片 U6116
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原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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5V2A同步整流芯片TB8520
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●工作在非連續(xù)模式(DCM)的次級同步整流控制器
●內(nèi)部集成高性能N 溝道 MOSFE
●超快速開管能力的驅(qū)動電路
●啟動及靜態(tài)工作電流
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PWM 控制功率開關(guān)電源芯片U3211
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集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護(hù)功能：
過載保護(hù) (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過壓保護(hù) (OVP)
VDD 過壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)
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PWM控制功率開關(guān)電源芯片U3210
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集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓?fù)?
默認(rèn) 12V 輸出（FB 腳懸空）
待機(jī)功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護(hù)功能：
過載保護(hù) (OLP)
逐周期電流限制 (OCP)
輸出過壓保護(hù) (OVP)
VDD 過壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)
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副邊15W開關(guān)電源芯片 U6203D
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動EMI
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原邊10W開關(guān)電源芯片TB6810
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原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護(hù)
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原邊18W開關(guān)電源芯片TB6818
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補償，省去額外的補償或濾波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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原邊12W開關(guān)電源芯片TB6806D
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效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊10W開關(guān)電源芯片TB6806SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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原邊5W開關(guān)電源芯片TB6806S
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效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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