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    原邊12W開關電源芯片TB6806D


    效率滿足六級能效要求
    低待機功耗小于75mW
    原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
    QR-PSR控制提高工作效率
    ±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制

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     AC-DC開關電源方案選型表        
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    電路拓補 功率管耐壓 (V) 導通電阻(Ω) 待機功耗 (mW) IC大輸出功率(W) 工作頻率(KHZ) 典型應用 封裝
    TB5806A 原邊反饋/內(nèi)置BJT 700 / <75 6W 40--70 5V 1.2A  SOP-7
    TB5806B 原邊反饋/內(nèi)置BJT 700 / <75 5W 40--70 5V 1.0A  SOP-7
    TB5806C 原邊反饋/內(nèi)置BJT
    700 / <75 2.5W 40--70 5V 0.5A  SOP-7
    TB5812A 原邊反饋/內(nèi)置BJT 800 / <75 10W 40--70 5V  2.0A  SOP-7
    TB5812B 原邊反饋/內(nèi)置BJT
    600 / <75 7.5W 40--70 5V 1.5A  SOP-7
    TB6818 原邊反饋/內(nèi)置MOS 650 2.6 Ω 75 18W 40--70 12V 1.5A SOP-8
    TB6806S 原邊反饋/內(nèi)置MOS
    600 12Ω <75 6W 40--70 5V 1.0A  SOP-8
    TB6806SA 原邊反饋/內(nèi)置MOS 600 4.5Ω <75 10W 40--70 5V  2.0A SOP-8
    TB6806D 原邊反饋/內(nèi)置MOS 600 4.5Ω 75 12W 40--70 12V 1.0A DIP-8
    TB6812 原邊反饋/內(nèi)置MOS 650
    2.6Ω <75 12W  40--70 12V1.0A SOP-7
    TB6810 原邊反饋/外置BJT 外置BJT / 75 10W 40--70 5V 2A SOT23-5
    TB6825 原邊反饋/外驅(qū)MOS
    外驅(qū)MOSFET
    / <75 20W 40--70 12V 1.5A  SOT23-6
    TB3815 副邊反饋/內(nèi)置MOS 650 4Ω 75 15W 65 12V 1A DIP-8
    TB3865 副邊反饋/外驅(qū)MOS 外驅(qū)MOSFET / 75 65W 65 12V 5A SOT23-6
    TB3890D 副邊反饋/外驅(qū)MOS 外驅(qū)MOSFET
    / 75 90W  65 12V 5A DIP-8
    TB3890S 副邊反饋/外驅(qū)MOS 外驅(qū)MOSFET / 75 90W 65 12V 5A SOP-8
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              TB6806電路圖

                                                             TB6806電路圖                   測試數(shù)據(jù) 

    TB6806測試數(shù)據(jù)


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    一線精良設備,精密檢測

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    內(nèi)置環(huán)路補償,省去額外的補償或濾波電容
    提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾,可實現(xiàn)輕載無異音
    多模(Multi-Mode)控制的高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器
    原邊5W開關電源芯片TB6806S
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    原邊反饋/外驅(qū)三極管
    支持高50V輸出電壓
    內(nèi)置專利的線損電壓補償,提高量產(chǎn)精度
    自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
    內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護

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