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成本的5V2.4A充電器方案，精簡(jiǎn)BOM，非標(biāo)
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輸入電壓：90-265Vac輸入
輸出功率：12W
QR-PSR控制提高工作效率
待機(jī)功耗：<75mW
平均效率：>83.33%,滿足六級(jí)能效要求
PSR控制模式，無(wú)光耦，無(wú)431
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成本的5V2A充電器方案，精簡(jiǎn)BOM，可認(rèn)證
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輸入電壓：90-265Vac輸入
輸出功率：10W
QR-PSR控制提高工作效率
PSR控制模式，無(wú)光耦，無(wú)431
待機(jī)功耗：<75mW
平均效率：>83.33%,滿足六級(jí)能效要求
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60W系列 12V5A六級(jí)能效方案
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動(dòng)電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
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12W系列 12V1A能效六級(jí)方案
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效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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10W系列 5V2A六級(jí)能效方案
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專(zhuān)利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級(jí)方案
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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5W系列 5V1A 能效六級(jí)方案
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效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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5W系列 5V1A能效六級(jí)方案
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效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過(guò)溫保護(hù)
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副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6203D
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效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806D
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效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊10W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806SA
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原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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原邊5W開(kāi)關(guān)電源芯片TB6806S
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB3815
更多 +
效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
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原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB6812
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效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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原邊6W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB5806
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效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過(guò)溫保護(hù)
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原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片 TB5812
更多 +
QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專(zhuān)利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
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原邊13W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6773S
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效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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12V 1A能效六級(jí)方案
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效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專(zhuān)利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
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副邊150W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5877
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副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動(dòng)
效率滿足六級(jí)能效
輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
外部編程過(guò)溫（OTP）保護(hù)
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流 <>br/內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6117D
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效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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