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原邊20W開關(guān)電源芯片 U6116
更多 +
原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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60W系列 12V5A六級能效方案
更多 +
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
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12W系列 12V1A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
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5W系列 5V1A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
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原邊12W開關(guān)電源芯片TB6806D
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
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副邊65W開關(guān)電源芯片 TB3865
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
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原邊25W開關(guān)電源芯片 TB6825
更多 +
原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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原邊6W開關(guān)電源芯片 TB5806
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效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
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原邊12W開關(guān)電源芯片 U6117D
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
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原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6772S
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置反饋腳(FB)電路保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制,內(nèi)置前沿消隱
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原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5928S
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制,內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(UVLO),過壓保護(hù)及鉗位
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原邊9W開關(guān)電源芯片 SF5926S
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制,內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(UVLO),過壓保護(hù)及鉗位
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原邊6W開關(guān)電源芯片 SF5922S
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制,內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(UVLO),過壓保護(hù)及鉗位
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副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5930
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng),大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
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副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920
更多 +
專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng),大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
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原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA
更多 +
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
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副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201
更多 +
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5%恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
-
原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S
更多 +
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制,無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護(hù)
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原邊6W開關(guān)電源芯片 U6215
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
-
原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6022
更多 +
效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
±4%恒壓恒流精度,支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制,無異音工作,
內(nèi)置專利的線損電壓補償,提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復(fù)間隙
VDD欠壓保護(hù)(UVLO),過壓保護(hù)及鉗位
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