- [公司新聞]外置OTP自帶降功率氮化鎵快充芯片U87322025年04月01日 10:18
- 當(dāng)設(shè)備溫度超過設(shè)定閾值時，外置OTP功能會自動觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過熱，這對于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測到溫度升高時，設(shè)備會自動降低功率輸出，以減少熱量產(chǎn)生，從而防止過熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！ 氮化鎵快充芯片U8732特點(diǎn)： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高
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- [公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢如破竹！? 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的
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- [公司新聞]35W PD快充芯片U8724AHS寬幅電壓輸出超穩(wěn)的2025年02月19日 10:42
- 寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標(biāo)準(zhǔn)，而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標(biāo)準(zhǔn)。電源的寬幅越大，輸出電壓隨負(fù)載電流變化的程度就越小，輸出電壓就越穩(wěn)定。35W PD快充芯片U8724AHS內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅(qū)動電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動
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- [公司新聞]U860X氮化鎵快充芯片系列升級增加U8609料號2025年02月08日 14:43
- U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！ 氮化鎵快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U860X采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。U860X集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。
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- [公司新聞]PD快充芯片賽道優(yōu)質(zhì)選手——銀聯(lián)寶U88202024年12月20日 11:04
- 隨著智能手機(jī)與APP應(yīng)用的飛速發(fā)展，能明顯感覺到，續(xù)航越來越不夠用了。受限于電池技術(shù)短期內(nèi)難有大突破，另辟蹊徑的快速充電技術(shù)不僅逐漸成為了手機(jī)的標(biāo)配，更是在其最佳伴侶“移動電源”上得到了應(yīng)用。PD快充芯片U8820是一款針對離線式反激變換器的高性能準(zhǔn)諧振電流模式PWM轉(zhuǎn)換芯片。芯片集成有高壓啟動電路，可以獲得快速啟動和超低待機(jī)的性能。芯片支持8-40V的VDD供電，方便滿足寬電壓輸出電源的要求！ PD快充芯片U8820封裝類型SOP-7，引腳特征如下：
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- [公司新聞]PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢2024年12月19日 10:26
- 氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性，這意味著它可以在相對較小的尺寸上輸出更大的功率。在當(dāng)下眾多需要小型化且高功率輸出的場景中，其價值尤為凸顯。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。 PD快充芯片U8608采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動產(chǎn)生噪音。它采用CS
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- [公司新聞]集成高壓啟動電路氮化鎵快充芯片U8722AH2024年12月03日 14:07
- 采用氮化鎵技術(shù)的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會比硅基更低。氮化鎵技術(shù)可使功率系統(tǒng)設(shè)計者達(dá)到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。這些優(yōu)異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場如此火爆的原因。深圳銀聯(lián)寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW 的超低待機(jī)功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題2024年11月21日 14:32
- 提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗(yàn)，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱量，還可能會對設(shè)備的穩(wěn)定性和壽命造成不良影響。因此，在設(shè)計芯片時，需要在提升工作頻率與降低功耗和發(fā)熱量之間找到一個平衡點(diǎn)。深圳銀聯(lián)寶科技的25W氮化鎵快充芯片U8723AH，推薦的RSEL電阻值在1kΩ，最高頻率限制220kHz；在2kΩ時，最高頻率限制130kHz，一起詳細(xì)了解下。 氮化鎵快充芯片U8723AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接詳見規(guī)格書。芯片啟動
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- [公司新聞]PD快充芯片U8766滿足寬輸出電壓應(yīng)用場合需求2024年11月15日 15:03
- 具有寬輸入電壓和輸出電壓范圍的單電池充電器集成電路IC使得能夠在具有不同輸入適配器和電池配置的各種應(yīng)用中使用相同的充電器，從而幫助縮短開發(fā)時間，還能獲得更優(yōu)化的充電體驗(yàn)。PD快充芯片U8766最高支持220kHz開關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。 針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時
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- [公司新聞]PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗2024年10月31日 10:58
- GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時間，從而降低了死區(qū)損失，提高了效率。GaN的開關(guān)頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無源器件的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更平滑的電機(jī)驅(qū)動GaN設(shè)計。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。 ■集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能 PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mo
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- [公司新聞]小于30mW超低待機(jī)功耗氮化鎵快充芯片U87652024年10月29日 14:42
- 相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是決定待機(jī)功耗最重要的一環(huán)。氮化鎵快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。 氮化鎵快充芯片U8765主要特性： 集成高壓 E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖
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- [公司新聞]20W氮化鎵快充芯片首選方案——U8722AH2024年10月11日 14:47
- 采用氮化鎵技術(shù)的充電器，在相同體積和輸出功率下，溫度也會比硅基更低。氮化鎵技術(shù)可使功率系統(tǒng)設(shè)計者達(dá)到更高的利用效率，節(jié)約了成本、節(jié)省了空間。這些優(yōu)異的材料特性，也是氮化鎵在充電器市場如此火爆的原因。深圳銀聯(lián)寶科技快充芯片U8722AH，是20W氮化鎵快充芯片首選方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW 的超低待機(jī)功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新聞]PD快充芯片U8724AH集成實(shí)現(xiàn)更高效的電源系統(tǒng)管理2024年09月26日 10:48
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題。在許多應(yīng)用中，GaN能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式ACDC功率開關(guān)PD快充芯片U8724AH，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓快速充電器、適配器的應(yīng)用場景！ PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持220kHz開關(guān)頻率，適
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- [公司新聞]30W集成高壓E-GaN快充芯片U8722CAS2024年09月18日 11:24
- 有了氮化鎵等新型材料的加持，近兩年很多品牌都上線了各種氮化鎵快充充電器。氮化鎵充電器不但可以提高設(shè)備的充電效率，而且在體積、散熱等方面也有十分不錯的表現(xiàn)，加上技術(shù)的不斷完善和升級，氮化鎵充電器價格也不斷下探。30W氮化鎵快充芯片U8722CAS成本低、質(zhì)量好，可以幫你緩解充電器成本焦慮。 30W氮化鎵快充芯片U8722CAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值
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- [公司新聞]攜手快充芯片U8723AH一起進(jìn)入GaN賽道2024年08月16日 15:09
- 智能快充技術(shù)的飛速發(fā)展和市場的爆火背后其實(shí)都少不了GaN的支撐，GaN等第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的日益成熟已逐漸成為行業(yè)內(nèi)的技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)。受其影響，目前市場上的智能快充大都在往小型化、大功率化發(fā)展，用戶的需求也正往多口化方向發(fā)展。深圳銀聯(lián)寶科技接連推出多款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式ACDC功率開關(guān)快充芯片，市場反饋頗佳！ 快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于
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- [公司新聞]快充芯片U8722XAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能2024年08月14日 14:49
- 快充芯片U8722XAS產(chǎn)品型號分別為U8722BAS、U8722CAS、U8722DAS，推薦最大輸出功率對應(yīng)為25W、30W、35W，是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。訂購信息如下： 快充芯片U8722XAS主要特性： 1.集成 高壓 E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8733高壓啟動機(jī)制確保運(yùn)行穩(wěn)定2024年08月06日 10:46
- 在傳統(tǒng)電力電子設(shè)備中，低壓啟動常常導(dǎo)致設(shè)備性能不穩(wěn)定，甚至損壞器件。而集成700V的氮化鎵快充芯片U8733，通過其高效的高壓啟動機(jī)制，輕松解決了這一難題。這種設(shè)計不僅能確保設(shè)備在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，還能有效提高系統(tǒng)的整體效率，為用戶帶來更加可靠的使用體驗(yàn)。 氮化鎵快充芯片U8733主要特征： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動電
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- [公司新聞]恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片2024年07月25日 14:32
- 恒功率U872XAH系列氮化鎵快充芯片包含了U8722AH、U8723AH、U8724AH三種型號，編帶盤裝，5000顆/卷，是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持220kHz開關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。 氮化鎵快充芯片U872XAH系列主要特性： 集成高壓 E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成
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- [公司新聞]來自氮化鎵快充芯片U8722+同步整流芯片U7612的默契組合2024年07月23日 15:13
- 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵快充芯片U8722采用準(zhǔn)諧振控制方式，最高支持220kHz開關(guān)頻率，適用于高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計，不僅可實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)、短路保護(hù)等保護(hù)功能，而且大大提高電源轉(zhuǎn)換效率，有效保障電源的安全性和可靠性；同時采用銀聯(lián)寶同步整流芯片U7612，默契搭配，成就經(jīng)典電源方案！ 氮化鎵快充芯片U8722是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722可全范
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8722AH大幅提升充電性能2024年07月15日 11:01
- 目前市場已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵產(chǎn)品能耗低，充電效率高，體積小、輕便等優(yōu)勢在快充電源市場的比重越來越高，比如深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的氮化鎵快充芯片U8722AH，就在電源應(yīng)用市場上有著不錯的口碑！ 氮化鎵快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30m
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