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: 原邊20W開關(guān)電源芯片 U6116

原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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: 12W系列 12V1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 10W系列 5V2A六級能效方案

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
更多 +

: 10W系列 5V2A能效六級方案

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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: 5W系列 5V1A能效六級方案

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
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: 原邊10W開關(guān)電源芯片TB6810

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
更多 +

: 原邊18W開關(guān)電源芯片TB6818

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片TB6806D

效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 原邊10W開關(guān)電源芯片TB6806SA

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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: 原邊15W開關(guān)電源芯片U6118

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 TB6812

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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: 原邊25W開關(guān)電源芯片 TB6825

原邊反饋/外驅(qū)MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 TB5806

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護(hù)
更多 +

: 原邊12W開關(guān)電源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
更多 +

: 原邊13W開關(guān)電源芯片 U6773S

效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
更多 +

: 原邊18W開關(guān)電源芯片 U6217S

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
更多 +

: 原邊12W開關(guān)電源芯片 U6117D

效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6772S

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置反饋腳（FB）電路保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6020P

原邊反饋/內(nèi)置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
內(nèi)置反饋腳（FB）短路保護(hù)
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6010R

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
更多 +

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