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首頁 銀聯(lián)寶開關(guān)電源芯片TB系列

原邊5W開關(guān)電源芯片TB6806S

原邊5W開關(guān)電源芯片TB6806S

產(chǎn)品簡(jiǎn)介


效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于75mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率

產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品展示

AC-DC開關(guān)電源方案選型表
產(chǎn)品型號(hào)

<超鏈接>

電路拓補(bǔ) 功率管耐壓(V) 導(dǎo)通電阻(Ω) 待機(jī)功耗(mW) IC大輸出功率(W) 工作頻率(KHZ) 典型應(yīng)用 封裝
TB5806A 原邊反饋/內(nèi)置BJT 700 / <75 6W 40--70 5V1.2A SOP-7
TB5806B 原邊反饋/內(nèi)置BJT 700 / <75 5W 40--70 5V1.0A SOP-7
TB5806C 原邊反饋/內(nèi)置BJT
700 / <75 2.5W 40--70 5V0.5A SOP-7
TB5812A 原邊反饋/內(nèi)置BJT 800 / <75 10W 40--70 5V 2.0A SOP-7
TB5812B 原邊反饋/內(nèi)置BJT
600 / <75 7.5W 40--70 5V1.5A SOP-7
TB6818 原邊反饋/內(nèi)置MOS 650 2.6Ω 75 18W 40--70 12V1.5A SOP-8
TB6806S 原邊反饋/內(nèi)置MOS
600 12Ω <75 6W 40--70 5V1.0A SOP-8
TB6806SA 原邊反饋/內(nèi)置MOS 600 4.5Ω <75 10W 40--70 5V 2.0A SOP-8
TB6806D 原邊反饋/內(nèi)置MOS 600 4.5Ω 75 12W 40--70 12V1.0A DIP-8
TB6812 原邊反饋/內(nèi)置MOS 650
2.6Ω <75 12W 40--70 12V1.0A SOP-7
TB6810 原邊反饋/外置BJT 外置BJT / 75 10W 40--70 5V2A SOT23-5
TB6825 原邊反饋/外驅(qū)MOS
外驅(qū)MOSFET
/ <75 20W 40--70 12V1.5A SOT23-6
TB3815 副邊反饋/內(nèi)置MOS 650 4Ω 75 15W 65 12V1A DIP-8
TB3865 副邊反饋/外驅(qū)MOS 外驅(qū)MOSFET / 75 65W 65 12V5A SOT23-6
TB3890D 副邊反饋/外驅(qū)MOS 外驅(qū)MOSFET
/ 75 90W 65 12V5A DIP-8
TB3890S 副邊反饋/外驅(qū)MOS 外驅(qū)MOSFET / 75 90W 65 12V5A SOP-8
其它熱銷產(chǎn)品


TB6806電路圖

TB6806電路圖 TB6806S的測(cè)試數(shù)據(jù)

TB6806測(cè)試數(shù)據(jù)


TB6806S的EMI測(cè)試圖TB6806EMI數(shù)據(jù)

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