MOS管怎么區(qū)分N溝道和P溝道呢？首先MOS管的大致結(jié)構(gòu)G極、D極、S極。分別G極是柵極，D極漏極，S極是源極。

1.源極：提供多數(shù)載流子（P型-空穴、N型-電子）的來(lái)源
2.漏極：接受這些多數(shù)載流子的端點(diǎn)
3.柵極：多晶硅組成，NMOSFET時(shí)接受正電壓，PMOSFET時(shí)接受負(fù)電壓

MOSFET-P和MOSFET-N的區(qū)別：

1、MOSFET-P是P溝道，MOSFET-N是N溝道；

2、為了能正常工作，NMOS管外加的Vds是正值，開啟電壓VT也是正值，實(shí)際電流方向?yàn)榱魅肼O。

而與NMOS不同，PMOS管外加的Vds是負(fù)值，開啟電壓VT也是負(fù)值，實(shí)際電流方向?yàn)榱鞒雎O。

N溝道和P溝道MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型。

N溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為：VGS 大于等于 VT

可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為  VDS= VGS-VT。

在可變電阻區(qū)內(nèi)：VGS >=VT， VDS  <= VGS-VT。

在飽和區(qū)內(nèi)：       VGS>=VT，   VDS  >= VGS-VT。

P溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為：VGS 小于等于 VT

可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為  VDS= VGS-VT。

在可變電阻區(qū)內(nèi)：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。

銀聯(lián)寶科技NMOS管AP8205A是TSSOP-8塑封封裝N溝道雙MOS管。采用的溝槽技術(shù)，提供較小的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷，柵極工作電壓低2.5V。

低壓MOS管AP8205A適用于電池保護(hù)電路，開關(guān)電路。

低壓MOS管AP8205A電壓參數(shù)是20V，電流參數(shù)是6A，電阻參數(shù)是23-28mΩ 。

看到這里應(yīng)該對(duì)mos管N溝槽和P溝槽有一定的了解了吧，銀聯(lián)寶電子是您低壓MOS管的平臺(tái)，我們將為您提供、方便、理想的服務(wù)，為您提供實(shí)惠的價(jià)格。銀聯(lián)寶團(tuán)隊(duì)將為您提供合理的建議。