現(xiàn)在開關(guān)電源配置都追求簡單又，下面銀聯(lián)寶給大家介紹一款簡單的開關(guān)電源芯片U6112。

U6112開關(guān)電源芯片產(chǎn)品描述：

在 U6112 芯片內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓 MOSFET關(guān)斷時，5.8V 的穩(wěn)壓器就會從芯片的 Drain 管腳端抽取一定的電流給 VDD 電容充電 5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓 MOSFET 導(dǎo)通的時候，5.8V 穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠 VDD 電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流，所以利用從芯片 Drain 管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用 1uF 的 VDD 電容用以濾除高頻噪聲 和作為芯片供電。

U6112開關(guān)電源芯片主要特點：

內(nèi)部集成650V高壓MOSFET

±4% 恒流精度

VDD工作電流

無需輔助繞組

集成式高壓電流源提高啟動速度

集成式線電壓補償優(yōu)化調(diào)整率

集成式過熱功率補償

內(nèi)部保護(hù)功能:

LED 開路和短路保護(hù)

芯片過熱保護(hù)

逐周期電流限制

前沿消隱

腳位懸空保護(hù)

VDD 腳欠壓保護(hù)

開關(guān)電源芯片U6112 利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓 MOSFET 漏極和門極間寄生的米勒電容 Crss 的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓 MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中 MOSFET 的Drain 端電壓開始下降 ，同時會有一由地到 MOSFETDrain 端的負(fù)向電流流經(jīng) Crss 電容。反之，當(dāng)MOFET 關(guān)斷 Drain 端電壓上升時，會有一正向電流流經(jīng) Crss 電容。芯片利用檢測到的流經(jīng) Crss 電容的負(fù)向電流實現(xiàn)了電感電流過零點的檢測。