電子技術(shù)的發(fā)展過程中，電源管理芯片制造過程一般包括電源芯片設(shè)計、 晶片制作、封裝制作、測試等幾個環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的復(fù)雜,首先是集成電路芯片設(shè)計,根據(jù)設(shè)計的需求,生成的“圖樣”。

開關(guān)電源管理芯片的原料晶圓:晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化電源管理芯片的原料晶圓:晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄,生產(chǎn)的成本越低,但對工藝就要求的越高。

晶圓涂膜:晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的- -種。

晶圓光刻顯影、蝕刻:該過程使用了對紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì),即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物

摻加雜質(zhì):將晶圓中植入離子,生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體，具體工藝是是從硅片上暴露的區(qū)域開始,放入化學(xué)離子混臺液中。這一工藝將改變攙雜區(qū)的導(dǎo)電方式,使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數(shù)據(jù)。簡單的芯片可以只用一-層,但復(fù)雜的芯片通常有很多層,這時候?qū)⑦@程不斷的重復(fù) ，不同層可通過開啟窗口聯(lián)接起來。這一點類似多層PCB板的制作原理。更為復(fù) 雜的芯片可能需要多個二氧化硅層,這時候通過重復(fù)光刻以及上面流程來實現(xiàn),形成一個立體的結(jié)構(gòu)。

晶圓測試:經(jīng)過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進(jìn)行電氣特性檢測。一般每 個芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的,組織- -次針測試模式是非常復(fù)雜的過程,這要求了在生產(chǎn)的時候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對成本就會越低,這也是為什么主流芯片器件造價低的-一個因素。

封裝:將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式,這就是同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式的原因。比如: DIP、QFP、 PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場形式等外圍因素來決定的。

測試、包裝:經(jīng)過上述工藝流程以后,電源芯片制作就已經(jīng)全部完成了, 這一步驟是將開關(guān)電源管理芯片進(jìn)行測試、剔除不良品,以及包裝。

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