了解了銀聯(lián)寶科技電源IC廠家的肖特基二極管原理等問題后，銀聯(lián)寶科技電源IC廠家給大家來介紹一下肖特基二極管的結構原理圖，給電子行業(yè)的老司機或電子發(fā)燒友一個協(xié)助了。

         銀聯(lián)寶科技電源IC廠家認為肖特基二極管和其他的二極管比起來，肖特基二極管有什么特別的呢？

                  肖特基二極管SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

           肖特基二極管SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

             銀聯(lián)寶電源IC廠家的典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

                銀聯(lián)寶科技電源IC廠家肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側無過剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題（Qrr→0），使開關特性獲得時顯。其反向恢復時間已能縮短到10ns以內。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率。

             銀聯(lián)寶電源IC廠家肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。

             銀聯(lián)寶科技電源IC廠家采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。更多銀聯(lián)寶科技電源IC廠家肖特基二極管內容可關注;http://m.westmont.com.cn