肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

銀聯(lián)寶肖特基二極管器件本身具有很高的開關頻率，而且它的反向擊穿電壓比較的低。同時因為技術的不斷改進，對新型材料的使用，使得肖特基二極管本身充滿了生機以及很強的競爭力。

銀聯(lián)寶肖特基二極管的優(yōu)點：

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低

在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大

在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少

在較高的反向電壓下，開關速度更快

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