MOS管電流可靠性設計原則其一是防范變壓器氣隙處理不當時變壓器磁芯飽和導致過流。氣隙和制造過程相關，需供應商監(jiān)控其波動。氣隙過小，導致磁飽和；氣隙過大，漏感過大，效率降低，發(fā)熱嚴重。實際測試時變壓器原邊電流如出現(xiàn)瞬時尖峰即為飽和。其二是大負載條件下MOS管的瞬態(tài)電流保證余量足夠。

MOS 管電流和變壓器原邊電流相等。一般地，一個電源設計完成后，副邊各電流峰值Io是由輸出大負載及大占空比Dmax決定，

副邊平均峰值電流 : Ispa = Io / (1-Dmax )

副邊直流有效電流 : Isrms = √〔(1-Dmax)*I2spa〕

副邊交流有效電流 : Isac = √(I2srms - Io2)

Dmax為電源控制芯片給出的規(guī)格，一般為0.5.

變壓器設計好后，匝比Np/Ns=n確定，且Np*Ip = Ns*Is，原邊各電流值理論值如下，

原邊平均峰值電流 : Ippa = Ispa / n

原邊直流有效電流 : Iprms = Dmax * Ippa

原邊交流有效電流 : Ipac = √D*I2ppa

銀聯(lián)寶科技MOS管AP3401替代新潔能NEC3401,該低壓MOS管采用的P溝槽技術，提供優(yōu)異的RDS（ON）。低柵極電荷和操作與柵極電壓低2.5V。這個裝置是適合用作負載開關或PWM應用。該MOS管AP3401的相關參數：

1.漏源電壓Vds -30 V.

2.漏電流一連續(xù)Id -4.2 A.

3.漏極電流-連續(xù)A lD（Ta = 70°C）-3.5 A.

4.脈沖漏極電流B Idm -30 A.

5.柵源電壓Vgs±12 V.

6.總功耗A Pd 1.4 W.

7.總功耗A PD（Ta = 70°C）1.0 w

8.工作和存儲結溫范圍Tj，Tstg -55150°C

9..大結環(huán)境A RpJA 125°c / w

10..大結引線c Rojl 60°c / w

實際測試時確認峰值余量。一般地，大電壓、大負載條件下電源啟動、工作時的工作電流大。要求大工作電流<70%MOS管額定電流。更多MOS管型號，找銀聯(lián)寶科技。