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內(nèi)置MOS且6級模式電源芯片-U6117D

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瀏覽:- 發(fā)布日期:2019-07-22 10:27:25【

內(nèi)置高壓開關(guān)MOS6級能效適配器芯片U6117D

U6117D效率滿足六級能效要求 ,是一款多模式(Multi-Mode)控制的高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器。


芯片內(nèi)置功率MOS,采用了DIP-8封裝,減少元器件的數(shù)量使得外圍電路精簡,用頻率調(diào)制方法來提高系統(tǒng)效率和減小電磁干擾。內(nèi)置環(huán)路補償,可以省去額外的補償或濾波電容,還內(nèi)置線纜壓降補償,由此取得良好的負載調(diào)整率?,F(xiàn)廣泛應用于適配器電源廠家。


1. 反饋工作模式U6117D為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC) 小于30mW。

2. 恒壓恒流模式 :采用準諧振與多模式技術(shù)提率并音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標準,可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負載調(diào)整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進行調(diào)節(jié)。該適配器驅(qū)動芯片提供了極為的智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。


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3. 芯片特點

開關(guān)電源芯片U6117D的特性:

多模式控制(FM&AM-PSR)
內(nèi)置650V高壓MOSFET
CC&CV精度:±4%
優(yōu)化的動態(tài)控制:優(yōu)異的動態(tài)響應能力
優(yōu)化的環(huán)路控制:工作穩(wěn)定、無異音、SR(同步整流)兼容性高集成線電壓,電感恒流補償技術(shù)

 

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