5V1A電源方案的優(yōu)惠套餐
5V1A的電源方案在市場上隨處可見，今天給大家推薦一款超優(yōu)惠的套餐，就是5V1A電源芯片U6117S+肖特基二極管P3L45F-A。
5V1A電源芯片U6117S是一款原邊反饋準(zhǔn)諧振模式的AC/DC電源控制芯片，內(nèi)部集成了600V的高壓功率MOS管，用于充電器，適配器和LED驅(qū)動領(lǐng)域。實現(xiàn)±4%的恒壓恒流精度和小余70mW的待機功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實現(xiàn)率和良好的EMI性能，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)要求。
5V1A電源芯片U6117S的特點：
QR-PSR控制提高工作效率
內(nèi)置600V 功率MOSFET
效率滿足‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置迅速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
5V1A電源芯片U6117S是一款原邊反饋準(zhǔn)諧振模式的AC/DC電源控制芯片，內(nèi)部集成了600V的高壓功率MOS管，用于充電器，適配器和LED驅(qū)動領(lǐng)域。實現(xiàn)±4%的恒壓恒流精度和小余70mW的待機功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實現(xiàn)率和良好的EMI性能，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)要求。
5V1A電源芯片U6117S的特點：
QR-PSR控制提高工作效率
內(nèi)置600V 功率MOSFET
效率滿足‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置迅速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
自動補償輸入電壓，電感感量變化,實現(xiàn)高精度
5V1A的配套肖特基二極管P3L45F-A封裝方式FLAT SMA，大小只有普通人小指指甲大小的1/3，厚度是1.25mm，可見其薄， P3L45F-A 整流電流可以達到10A,反向耐壓45V， P3L45F-A 相比于同類別的肖特基二極管除了體積小，薄之外，其很大的特點就是正向壓降非常低，普通的肖特基二極管MBR3L45其正向壓降是0.54V,而P3L45F-A只有0.42V,因此它的轉(zhuǎn)化效率非常之高，是現(xiàn)代工業(yè)環(huán)保重要一方面——資源節(jié)約。
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【本文標(biāo)簽】：5V1A電源方案 電源芯片U6117 肖特基P3L45F A
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