產(chǎn)生電磁干擾有3個必要條件：干擾源、傳輸介質(zhì)、敏感設(shè)備，EMC設(shè)計的目的就是破壞這3個條件中的一個。針對于此，主要采取的方法有：電路措施、EMI濾波、屏蔽、印制電路板抗干擾設(shè)計等。電源ic，開關(guān)電源芯片

1 降低開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲的軟開關(guān)技術(shù)

軟開關(guān)是在硬開關(guān)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種基于諧振技術(shù)或利用控制技術(shù)實現(xiàn)的在零電壓/電流狀態(tài)下的開關(guān)技術(shù)。

軟開關(guān)的實現(xiàn)方法是：在原電路中增加小電感、電容等諧振元件，在開關(guān)過程前后引入諧振，電壓、電流的重疊。圖2給出了一種使用軟開關(guān)技術(shù)的基本開關(guān)單元。

2 減小干擾源干擾的緩沖電路

在開關(guān)控制電源的輸入部分加入緩沖電路（見圖3），其由線性阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡組成，用于電力線干擾、電快速瞬變、電涌、電壓高低變化和電力線諧波等潛在的干擾。緩沖電路器件參數(shù)為D1為MUR460，R1=500Ω，C=6nF，L=36mH，R=150Ω。

3 切斷干擾噪聲傳播路徑的EMI濾波

在開關(guān)電源輸入和輸出電路中加裝EMI濾波器，是抑制傳導發(fā)射的一個很有效方法。其參數(shù)主要有：放電電阻、插入損耗、Cx電容、Cy電容和電感值。其 中，插入損耗是濾波器性能的一個關(guān)鍵參數(shù)。在考慮機械性能、環(huán)境、成本等前提下，應該盡量使插入損耗大一些。用共模、差模干擾的測量結(jié)果與標準限值，加上 適當?shù)脑Ａ靠傻玫綖V波器的插入損耗IL。

ILCM(dB)=Vcm(dB)-Vlimt(dB)-3(dB)+M(dB)                     (1)
ILDM(dB)=VDM(dB)-Vlimt(dB)-3(dB)+M(dB)                    (
式中，3dB表示在分離共模、差模傳導干擾的測試過程中測試結(jié)果比實際值大3dB；M(dB)表示設(shè)計裕量，一般取6dB；Vlimit(dB)為相關(guān)標準如CISPR,FCC等規(guī)定的傳導干擾限值。
圖4是220V/50Hz交流輸入的開關(guān)電源交流側(cè)EMI濾波器的電路。Cy＝3300pF，L1、L2＝0.7mH，它們構(gòu)成共模濾波電路，抑制 0.5～30MHz的共模干擾信號。Cx＝0.1μF，L3、L4＝200～500μH，采用金屬粉壓磁芯，與L1/L2、Cx構(gòu)成L-N端口間低通濾波 器，用于抑制電源線上存在的0.15～ 0.5MHz差模干擾信號。R用于可能在濾波器中出現(xiàn)的靜電積累。

 開關(guān)電源交流側(cè)EMI濾波器電路

開關(guān)電源的直流輸出側(cè)濾波電路，它由共模扼流圈L1、L2，扼流圈L3和電容C1、C2組成。為了防止磁芯在較大的磁場強度下飽和而使扼流圈失去作用，磁芯采用高頻特性好且飽和磁場強度大的恒μ磁芯。

4 用屏蔽來抑制輻射及感應干擾

開關(guān)電源干擾頻譜集中在30MHz以下的頻段，直徑r＜λ/2π,主要是近場性質(zhì)的電磁場，且屬低阻抗場?？捎脤щ娏己玫牟牧蠈﹄妶銎帘?，而用導磁率高 的材料對磁場屏蔽。此外，還要對變壓器、電感器、功率器件等采取有效的屏蔽措施。屏蔽外殼上的通風孔好為圓形，在滿足通風的條件下，孔的數(shù)量可以多，每 個孔的尺寸要盡可能小。接縫處要焊接，以保證電磁的連續(xù)性。屏蔽外殼的引入、引出線處要采取濾波措施。對于電場屏蔽，屏蔽外殼一定要接地。對于磁場屏蔽， 屏蔽外殼不需接地。

5 合理的PCB布局及布線

敏感線路主要是指控制電路和直接與干擾測量設(shè)備相連的線路。要降低干擾水平，簡單的方法就是增大干擾源與敏感線路的間距。但由于受電源尺寸的限制，單 純的增大間距并非解決問題的佳途徑，更為合理的方法是根據(jù)干擾電場的分布情況將敏感線路放在干擾較弱的地方。