12V1A電源芯片U6117D替代昂寶OB2538
12V1A電源芯片U6117D替是一款高性能，用于離線小功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的高度集成DCM（非連續(xù)導(dǎo)通模式）初級端調(diào)節(jié)（PSR）電源開關(guān)。 電源芯片U6117D替替代昂寶OB2538的優(yōu)勢：
1.采用脈沖頻率調(diào)制（PFM）控制，以提率和簡化了系統(tǒng)EMI設(shè)計(jì)。
2.通過光耦和次級控制電路，大大降低了系統(tǒng)成本。
3.可以提供極為嚴(yán)格的輸出電壓調(diào)節(jié)（CV），除了輸出電流控制（CC）的理想充電應(yīng)用。
4.有誤差放大器（EA）CV帶有內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的恒壓控制，從而了外部補(bǔ)償電路。
電源芯片U6117D替代昂寶OB2538的功能：
1.內(nèi)置的電纜壓降補(bǔ)償功能，可提供出色的CV性能。
2.置了軟啟動(dòng)功能，上電期間軟化對MOSFET的壓力。
3.在輕負(fù)載條件下，IC減小開關(guān)頻率，以達(dá)到的調(diào)節(jié)和率，又滿足空載功耗小于30mW的要求。
4.集成功能和欠壓鎖定（UVLO），VDD過壓保護(hù)（OVP VDD），輸出過壓保護(hù)（OVP輸出），軟啟動(dòng)保護(hù)，逐周期電流限制（OCP），所有引腳浮保護(hù)， VDD鉗位。
5.DIP8封裝。
電源芯片U6117D替替代昂寶OB2538的特征：
1.內(nèi)置600V功率MOSFET
2.在30mW的待機(jī)功耗，易傳能源之星EPS2.0
3.初級端調(diào)節(jié)（PSR），而TL431和光電耦合器
4.±5％恒流（CC）恒壓（CV）規(guī)例在通用AC輸入
5.專有電纜壓降補(bǔ)償在CV模式
6.補(bǔ)償線路電壓變化，補(bǔ)償變壓器電感容器
7.內(nèi)置控制環(huán)路補(bǔ)償CV模式
8.PFM控制簡化了EMI設(shè)計(jì)
9.逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱（LEB），內(nèi)置軟啟動(dòng)
腳位圖：
以上就是銀聯(lián)寶科技12V1A電源芯片U6117D替代昂寶OB2538，腳位兼容的相關(guān)內(nèi)容。
1.采用脈沖頻率調(diào)制（PFM）控制，以提率和簡化了系統(tǒng)EMI設(shè)計(jì)。
2.通過光耦和次級控制電路，大大降低了系統(tǒng)成本。
3.可以提供極為嚴(yán)格的輸出電壓調(diào)節(jié)（CV），除了輸出電流控制（CC）的理想充電應(yīng)用。
4.有誤差放大器（EA）CV帶有內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的恒壓控制，從而了外部補(bǔ)償電路。
電源芯片U6117D替代昂寶OB2538的功能：
1.內(nèi)置的電纜壓降補(bǔ)償功能，可提供出色的CV性能。
2.置了軟啟動(dòng)功能，上電期間軟化對MOSFET的壓力。
3.在輕負(fù)載條件下，IC減小開關(guān)頻率，以達(dá)到的調(diào)節(jié)和率，又滿足空載功耗小于30mW的要求。
4.集成功能和欠壓鎖定（UVLO），VDD過壓保護(hù)（OVP VDD），輸出過壓保護(hù)（OVP輸出），軟啟動(dòng)保護(hù)，逐周期電流限制（OCP），所有引腳浮保護(hù)， VDD鉗位。
5.DIP8封裝。
電源芯片U6117D替替代昂寶OB2538的特征：
1.內(nèi)置600V功率MOSFET
2.在30mW的待機(jī)功耗，易傳能源之星EPS2.0
3.初級端調(diào)節(jié)（PSR），而TL431和光電耦合器
4.±5％恒流（CC）恒壓（CV）規(guī)例在通用AC輸入
5.專有電纜壓降補(bǔ)償在CV模式
6.補(bǔ)償線路電壓變化，補(bǔ)償變壓器電感容器
7.內(nèi)置控制環(huán)路補(bǔ)償CV模式
8.PFM控制簡化了EMI設(shè)計(jì)
9.逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱（LEB），內(nèi)置軟啟動(dòng)
腳位圖：
以上就是銀聯(lián)寶科技12V1A電源芯片U6117D替代昂寶OB2538，腳位兼容的相關(guān)內(nèi)容。
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