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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過壓保護(hù)及鉗位。
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101D

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: 副邊75W開關(guān)電源芯片U6101S

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP
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: U321

靜態(tài)工作電流、過載保護(hù) (OLP/ )/ 短路保護(hù)
高壓?jiǎn)?dòng)電路和待機(jī)功耗（ <50mW ）
逐周期峰值電流限制和前沿消隱、軟驅(qū)動(dòng)電路
多模式 PWM 控制、軟啟動(dòng)、輸出過壓保護(hù)（ OVP ）
異常過流保護(hù)（ AOCP ）、VDD過壓保護(hù) (OVP)
過熱保護(hù)、優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響、可聞噪音
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: U3012(DIP-8)

內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無需外圍補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)能達(dá)到穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達(dá)到 85%）
外接一個(gè)小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個(gè)微調(diào)頻點(diǎn)以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SO-8
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: U3012(SOP-8)

內(nèi)部集成高壓功率管寬電壓輸入電壓范圍:20V 200V
外接元件少，無需外圍補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)能達(dá)到穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)相應(yīng)
低功耗與率（可達(dá)到 85%）
外接一個(gè)小功率電阻可控制峰值電流
固定的震蕩頻率加一個(gè)微調(diào)頻點(diǎn)以及頻率打嗝
封裝形式：DIP-8 和 SOP-8
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: 原邊13W開關(guān)電源芯片 U6773S

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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: 開關(guān)電源芯片U6113

±3%LED恒流精度
恒流輸出值可調(diào)
1%線電壓補(bǔ)償精度
優(yōu)異地保護(hù)功能
過溫保護(hù)（OTP）
逐周期過流保護(hù)（OCP
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: 開關(guān)電源芯片U6112

內(nèi)置650V MOSFET。
LED開路/短路保護(hù)。
內(nèi)置線輸入電壓恒流補(bǔ)償。
工作電流，4%恒流精底。
內(nèi)置快速啟動(dòng)電路，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
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: 12V 1A能效六級(jí)方案

效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
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: 原邊18W開關(guān)電源芯片 U6217S

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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: PFC肖特基 PTR20V100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20100CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
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: PFC肖特基 PTR20100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR2045CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 P15V50SP

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR10L300CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS10L60CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS10L60

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTS5L100

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關(guān)速度更快
更多 +

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