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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF5877

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動(dòng)
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護(hù)
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流 <>br/內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 U6117D

效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6772S

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置反饋腳（FB）電路保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539HT

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動(dòng)失敗
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動(dòng)失敗
內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1538

副邊反饋/內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護(hù)OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動(dòng)失敗
內(nèi)置4ms軟啟動(dòng)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5928S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 原邊9W開關(guān)電源芯片 SF5926S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF5922S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1565

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1560

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動(dòng)電流
管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF5897

滿足六級能效
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動(dòng)
輸出過壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊70W開關(guān)電源芯片 SF5887

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動(dòng)
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護(hù)
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊50W開關(guān)電源芯片 SF1530

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護(hù)
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
更多 +

: 原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T

原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動(dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機(jī)功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動(dòng)電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補(bǔ)償
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S

效率滿足六級能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護(hù)
更多 +

: 副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動(dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊18W開關(guān)電源芯片 SF5549H

副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動(dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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