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高集成度電動車控制器電源芯片TB1211
更多 +
集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓撲
默認 12V 輸出(FB 腳懸空)
待機功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率
集成軟啟動電路
內(nèi)部保護功能:
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高集成度電動車控制器電源芯片TB1201
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集成 650V 高壓啟動電路
多模式控制、無異音工作
支持降壓和升降壓拓撲
默認 12V 輸出(FB 腳懸空)
待機功耗低于 50mW
良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率
集成軟啟動電路
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PFC肖特基 PTR20V100CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR2045CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 P15V50SP
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR10L300CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTS5L100
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 P10V45SP
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20L80CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFS5A60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR20L200CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PFR10L200CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 PTR30L80CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開
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PFC肖特基 PFR30L60CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少
在較高的反向電壓下,開關速度更快