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原邊18W開關電源芯片 U6217S
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原邊反饋/內置MOSFET
內置環(huán)路補償,省去額外的補償或濾波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾,可實現(xiàn)輕載無異音
多模(Multi-Mode)控制的高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器
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副邊150W開關電源芯片 SF5877
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(OVP)電壓可外部編程
外部編程過溫(OTP)保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流 <>br/內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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原邊12W開關電源芯片 U6117D
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒壓恒流精度,多模式PSR控制
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原邊6W開關電源芯片 SF6772S
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效率滿足六級能效要求
內置反饋腳(FB)電路保護
原邊反饋/內置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1539HT
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內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
副邊反饋/內置MOSFET,內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1539
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內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內置MOSFET,內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1538
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副邊反饋/內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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原邊6W開關電源芯片 SF6020P
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原邊反饋/內置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
內置反饋腳(FB)短路保護
內置專利的線損電壓補償,提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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原邊5W開關電源芯片 SF6010R
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原邊反饋/外驅三極管
支持高50V輸出電壓
內置專利的線損電壓補償,提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
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原邊5W開關電源芯片 SF6072
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原邊反饋/內置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V輸出電壓
?內置專利的線損電壓補償,提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
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原邊5W開關電源芯片 SF6010N
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原邊反饋/外驅三極管
支持高50V輸出電壓
內置專利的線損電壓補償,提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
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原邊15W開關電源芯片 SF5928S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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原邊9W開關電源芯片 SF5926S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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原邊6W開關電源芯片 SF5922S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化,實現(xiàn)高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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副邊150W開關電源芯片 SF1565
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頻率可外部編程,并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制,內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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副邊150W開關電源芯片 SF1560
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頻率可外部編程,并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制,內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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副邊150W開關電源芯片 SF5897
更多 +
滿足六級能效
副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
輸出過壓保護(OVP)電壓可外部編程
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
逐周期電流限制,內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(UVLO),過壓保護及鉗位
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副邊70W開關電源芯片 SF5887
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護(OVP)電壓可外部編程
外部編程過溫(OTP)保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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副邊50W開關電源芯片 SF1530
更多 +
副邊反饋/外驅MOSFET,管腳浮空保護
系統(tǒng)頻率可編程,并內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償
逐周期電流限制,內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
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副邊25W開關電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應,大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋(PSR)控制,無需光耦和TL431