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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF5877

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流 <>br/內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 U6117D

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
原邊反饋,內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6772S

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置反饋腳（FB）電路保護
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539HT

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1539

內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊15W開關(guān)電源芯片 SF1538

副邊反饋/內(nèi)置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗
內(nèi)置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF6020P

原邊反饋/內(nèi)置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
內(nèi)置反饋腳（FB）短路保護
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6010R

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6072

原邊反饋/內(nèi)置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V輸出電壓
?內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6010N

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5928S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 原邊9W開關(guān)電源芯片 SF5926S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF5922S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
更多 +

: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1565

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
更多 +

: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1560

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
更多 +

: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF5897

滿足六級能效
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
更多 +

: 副邊70W開關(guān)電源芯片 SF5887

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
更多 +

: 副邊50W開關(guān)電源芯片 SF1530

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
更多 +

: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5930

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
更多 +

: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
更多 +

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