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當(dāng)前位置：首頁(yè) » 全站搜索 » 搜索：六級(jí)能效

: 原邊6W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF6772S

效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置反饋腳（FB）電路保護(hù)
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊150W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5897

滿足六級(jí)能效
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動(dòng)
輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)壓保護(hù)及鉗位
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: 副邊70W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5887

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動(dòng)
效率滿足六級(jí)能效
輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP）電壓可外部編程
外部編程過(guò)溫（OTP）保護(hù)
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護(hù)
管腳浮空保護(hù)
啟動(dòng)電流
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊10W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6117SA

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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: 原邊25W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF6771T

原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊6W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6117S

效率滿足六級(jí)能效要求
低待機(jī)功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護(hù)
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: 原邊12W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6315

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專(zhuān)利的線損電壓補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
更多 +

: 原邊6W開(kāi)關(guān)電源芯片 U6215

效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補(bǔ)償
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過(guò)溫保護(hù)
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: 副邊65W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5533

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊18W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5549H

副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
更多 +

: 原邊5W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF6022

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作，
內(nèi)置專(zhuān)利的線損電壓補(bǔ)償，提高量產(chǎn)精度
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng),啟動(dòng)電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過(guò)壓保護(hù)及鉗位
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: 原邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5938S

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
內(nèi)置專(zhuān)利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動(dòng),啟動(dòng)電流,管腳浮空保護(hù)
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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: 原邊13W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF6773V

效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)
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: 隔離36W開(kāi)關(guān)電源芯片 SFL950

提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
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: 10W系列 5V 2A電源方案

PSR控制模式，無(wú)光耦，無(wú)431。
±5% 的恒流恒壓精度。
專(zhuān)利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
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: 副邊50W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5773

品牌：銀聯(lián)寶電子
型號(hào)：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒壓精度。
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求,待機(jī)＜75mW。
更多 +

: 副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5539H

效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
更多 +

: 24W系列 12V2A能效六級(jí)方案

提高系統(tǒng)效率，異音
內(nèi)置軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
效率滿足六級(jí)能效
啟動(dòng)電流
QR技術(shù)提高全負(fù)載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過(guò)壓保護(hù)電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
更多 +

: 18W系列12V1.5A能效六級(jí)方案

效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OLP可編程
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: 65W系列 19V3.42A能效六級(jí)方案

優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
效率滿足六級(jí)能效
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時(shí)間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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