- [公司新聞]氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率2024年05月07日 14:49
- 氮化鎵快充電源icU8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8722DE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如下圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。不同驅(qū)動電流檔位的DEM電
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