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移動(dòng)設(shè)備充電器反激轉(zhuǎn)換器同步整流芯片JSTR9110

2021-10-29 14:02:55 

同步整流芯片JSTR9110采用多樣化VCC供電技術(shù),在不需要輔助繞組供電的情況下,能保證AC-DC控制器在多種輸出電壓條件下,芯片VCC供電都會(huì)不出現(xiàn)欠壓。同步整流芯片JSTR9110當(dāng)VCC降低到VUVLO2以下時(shí),電路處于睡眠模式,MOSFET不會(huì)被打開。在系統(tǒng)上電后的一段時(shí)間,由于VCC電壓未達(dá)到VUVLO1,功率MOSFET不會(huì)被打開,完全由功率MOSFET的體二極管進(jìn)行續(xù)流,直到VCC電壓超過VUVLO1,芯片開始正常開關(guān)。


jstr9110

同步整流芯片JSTR9110特性:

1.兼容DCM、CCMQR反激轉(zhuǎn)換器

2.輸出電壓直接供給VCC

3.150uA低靜態(tài)電流

4.4.5A驅(qū)動(dòng)電流保證MOSFET快速關(guān)斷

5.支持最大200kHz 開關(guān)頻率

6.支持低輸出電壓工作

7.采用SOP8封裝形式

同步整流芯片JSTR9110管腳描述:

1.2S 芯片接地管腳(GND

3 VCC電源,VCC GND 之間接電容

4 VO檢測輸出電壓,給 VCC 供電

56、78 D 漏極電壓檢測腳

同步整流芯片JSTR9110應(yīng)用范圍:

l移動(dòng)設(shè)備充電器

l適配器

l反激轉(zhuǎn)換器

同步整流芯片JSTR9110能夠支持DCM、CCMQuasi-Resonant反激轉(zhuǎn)換器,能夠提高系統(tǒng)的效率。次級(jí)邊導(dǎo)通時(shí),電流首先通過功率MOSFET的體二極管,電路檢測到功率MOSFET的漏端電壓比其源端電壓低約0.26V時(shí),立即打開功率MOSFET,降低系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗。當(dāng)Ton超過約400ns時(shí),功率MOSFET驅(qū)動(dòng)的邏輯上拉會(huì)關(guān)閉,而后線性驅(qū)動(dòng)器介入工作。

當(dāng)通過功率MOSFET的電流下降使得漏端電壓比源端電壓低約40mV時(shí),線性驅(qū)動(dòng)器便會(huì)通過降低MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓VDRIVER使MOSFET的阻抗增大,從而將Drain端電壓維持在-40mV左右。當(dāng)電流接近0時(shí),線性驅(qū)動(dòng)器的調(diào)節(jié)無法將Drain電壓繼續(xù)維持在-40mV,Drain電壓會(huì)繼續(xù)上升。當(dāng)其電壓達(dá)到-12mV左右時(shí),芯片會(huì)立即通過邏輯將功率MOSFET完全關(guān)斷。若DRV導(dǎo)通時(shí),VDS>3VDRV強(qiáng)制關(guān)斷MOSFET。功率MOSFET關(guān)閉后,同步整流芯片JSTR9110需要檢測到芯片內(nèi)部SR端電壓達(dá)到約6V以上,且持續(xù)時(shí)間大于0.3us后,才認(rèn)為是一次有效的原邊導(dǎo)通;而后芯片內(nèi)部SR下降到-0.26V后立刻打開MOS管;如未檢測到有效的原邊導(dǎo)通,但芯片內(nèi)部SR仍低于-0.26V,則需要等待大約2us后才打開MOS,這樣可以在一定程度上避免因諧振干擾造成誤動(dòng)作。

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