通過(guò)原邊反饋穩(wěn)壓省掉電壓反饋環(huán)路(TL431和光耦)和較低的EMC輻射省掉Y電容，不僅省成本而且省空間，得到很多電源工程師采用。深圳銀聯(lián)寶科技的原邊電源管理芯片U6218C，正是目前很受歡迎的一款原邊控制功率開(kāi)關(guān)方案，在230VAC ± 15% 推薦功率18W，在85 - 265 VAC推薦功率15W！
原邊電源管理芯片U6218C在恒壓輸出模式中采用了調(diào)頻控制與調(diào)幅控制結(jié)合的多模式控制技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)由滿載到空載全程無(wú)異音工作。U6218C集成了單點(diǎn)失效保護(hù)，包括FB上拉電阻開(kāi)路保護(hù)、FB下拉電阻開(kāi)路保護(hù)、FB下拉電阻短路保護(hù)、輸出二極管或者SR短路、RCS開(kāi)路、變壓器繞組短路、IC GND管腳開(kāi)路等保護(hù)。一旦故障發(fā)生，芯片將進(jìn)入保護(hù)模式并自動(dòng)重啟。芯片的單點(diǎn)失效保護(hù)功能可以保證IC不損壞且輸出不產(chǎn)生過(guò)壓。
PCB設(shè)計(jì)對(duì)電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，原邊電源管理芯片U6218C設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考以下內(nèi)容（詳盡資料可參照規(guī)格書(shū)）：
1.原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小，同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。
2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應(yīng)盡可能小。
3. VDD 電容 C3 應(yīng)緊貼芯片，保證 VDD 回路(Loop3) 的面積盡可能小。
4. 如 Line1 所示，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地，以減少 ESD 能量對(duì)于芯片的干擾。
5. 如 Line2 所示，VDD 電容 C3 及 FB 下阻 R5應(yīng)先連接到芯片的 GND 管腳，再連接到輸入電容的地。
為了滿足嚴(yán)苛的平均效率和待機(jī)功耗要求，原邊電源管理芯片U6218C采用了調(diào)幅控制(AM)和調(diào)頻控制(FM)結(jié)合的多模式控制技術(shù)。重載條件下，U6218C工作在準(zhǔn)諧振狀態(tài)，以保證優(yōu)異的效率和溫升性能。隨著負(fù)載降低，芯片先后進(jìn)入調(diào)頻模式(FM)和調(diào)幅模式(AM)，以達(dá)到提高輕載效率和降低噪音的目的。
MOSFET存在可觀的關(guān)斷延遲，會(huì)影響芯片的恒流輸出性能。如果不做補(bǔ)償，高壓輸入下的OCP值會(huì)比低壓輸入高很多。原邊電源管理芯片U6218C內(nèi)置線電壓恒流補(bǔ)償電路，可以得到優(yōu)異的輸出電流調(diào)整率。U6218還有U6218A、U6218B兩款型號(hào)，功率可做21W、18W，滿足不同場(chǎng)景需求！