TB6812是一款恒壓、恒流的原邊反饋控制芯片，內(nèi)置650V的功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于小功率離線式充電器。
TB6812 采用調(diào)幅控制和調(diào)頻控制相結(jié)合，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。恒流流輸出模式中，芯片采用調(diào)頻控制方式，同時集成了線電壓和負(fù)載電壓的恒流補償。采用TB6812可以工作無異音，同時保證優(yōu)異的動態(tài)性能;采用特有的輸出線損補償技術(shù)，可以有效的補償輸出電流在輸出線上的損耗壓降。TB6812具有多重保護功能，包括開路保護，VDD過壓/欠壓/鉗位保護，短路保護、芯片過溫保護等功能。
TB6812是銀聯(lián)寶新一代的恒壓、恒流控制芯片，優(yōu)化了動態(tài)響應(yīng)和驅(qū)動等性。
TB6812 典型系統(tǒng)原理圖/ PCB DEMO樣品圖如下：
5V 2.4A 測試數(shù)據(jù)：
待機功耗測試
平均效率測試
溫升測試
