智能快充技術(shù)的飛速發(fā)展和市場的爆火背后其實(shí)都少不了GaN的支撐，GaN等第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的日益成熟已逐漸成為行業(yè)內(nèi)的技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)。受其影響，目前市場上的智能快充大都在往小型化、大功率化發(fā)展，用戶的需求也正往多口化方向發(fā)展。深圳銀聯(lián)寶科技接連推出多款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式ACDC功率開關(guān)快充芯片，市場反饋頗佳！
快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。
快充芯片U8723AH集成有完備的保護(hù)功能，包括：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD過壓保護(hù)(VDD OVP)、輸入過壓保護(hù)(LOVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(DEM UVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(hù)(AOCP)、過載保護(hù)(OLP)、內(nèi)置過熱保護(hù)(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護(hù)等。
快充芯片U8723AH系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過沖。內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在軟啟動(dòng)時(shí)間TST(典型值5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會(huì)伴隨一次軟啟動(dòng)過程。
快充芯片U8723AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值 6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8723AH通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。
GaN給智能快充芯片領(lǐng)域帶來了不少新機(jī)會(huì)，同時(shí)也進(jìn)入了多個(gè)新的應(yīng)用場景。如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充來提高充電效率，從而在這個(gè)賽道大放異彩，來深圳銀聯(lián)寶科技，攜手賽跑！