為了滿足客戶高端、高功率密度的要求，深圳銀聯(lián)寶科技推出的同步整流ICU7612，在提高效率的同時(shí)，也能夠極大地幫助瞬態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)，而且擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性，提高了傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器，以及所有其他能夠使用同步整流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)性。
同步整流ICU7612是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7612內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和LowSide配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。
同步整流ICU7612PCB 設(shè)計(jì)建議：
1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。
2. VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。
3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測(cè)點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。High Side配置中，建議HV通過(guò)R2電阻連接到輸出電容的正端。
4. R1和C1構(gòu)成同步整流開(kāi)關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。
5. Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。
6.SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。
在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前，同步整流ICU7612處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF (典型值 3.5V) 后，芯片關(guān)機(jī)，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。
同步整流技術(shù)就是采用低導(dǎo)通電阻的功率MOS管代替開(kāi)關(guān)變換器快恢復(fù)二極管，起整流管的作用，從而達(dá)到降低整流損耗，提高效率的目的。搜索深圳銀聯(lián)寶科技，可獲取更多同步整流IC及解決方案！