每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時(shí)，對(duì)于N溝道的電源輸入為D，輸出為S；P溝道的電源輸入為S，輸出為D；且增強(qiáng)型、耗盡型的接法基本一樣。
銀聯(lián)寶科技MOS管AP2300是一款采用結(jié)工藝技術(shù)生產(chǎn)的增強(qiáng)型N溝道MOSFET，采用的溝漕道工藝制做，導(dǎo)通阻低RDS(ON) ，開(kāi)關(guān)速度快，低開(kāi)啟電壓Vgs，帶ESD保護(hù)，穩(wěn)定性好，具有很高的EAS均勻性。
MOS管AP2300的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)：
1.低FOM(Rdson*Qg)高雪崩耐量，100%經(jīng)過(guò)EAS測(cè)試
2.低反向恢復(fù)電荷，低反向恢復(fù)峰值電流
3.抗靜電能力
4.符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)
MOS管AP2300的產(chǎn)品應(yīng)用：
1.各類(lèi)鋰電池保護(hù)模塊
2.手機(jī)、平板電腦等便攜式數(shù)碼產(chǎn)品電源管理
3.LED TV等消費(fèi)電子產(chǎn)品電源
4.電動(dòng)交通工具控制器
5.不間斷電源，逆變器和各類(lèi)電力電源
6.LED照明
