智能手機(jī)的飛速發(fā)展，讓很多以前經(jīng)常使用的機(jī)器被淘汰。隨著線上支付越來越方便，人們只需要動動手指就可以完成一系列的轉(zhuǎn)賬支付，全國的ATM機(jī)數(shù)量也隨之驟減。技術(shù)迭代更新如此之快，手機(jī)充電器依然是市場的寵兒，就像這顆手機(jī)充電器芯片U6773S，備受市場青睞！
手機(jī)充電器芯片U6773S在176VAC-265VAC時推薦輸出功率15W，在85VAC-265VAC時12W，采用SOP-7的封裝，引腳如下：
1 VDD P 芯片供電管腳
2、3 FB I系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至 FB 管腳，用于 CV模式輸出電壓控制及 CC 模式輸出電流控制。
4 CS I 電流采樣輸入管腳
5、6 Drain I 內(nèi)部功率管的漏極
7 GND P 芯片參考地
手機(jī)充電器芯片U6773S主要特性：
1. 效率滿足六級能效要求
2. 原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET
3. 自動補(bǔ)償輸入電壓、電感感量變化，實(shí)現(xiàn)高精度
4. 多模式PSR 控制提高可靠性和效率
5. 內(nèi)置軟啟動，超低啟動電流，管腳浮空保護(hù)
6. 優(yōu)化的動態(tài)控制：優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)能力
7. 優(yōu)化的環(huán)路控制：工作穩(wěn)定、無異音、SR（同步整流）兼容性高
8. 內(nèi)置多種保護(hù)：
短路保護(hù) (SLP)
芯片過熱保護(hù)（OTP）
逐周期電流限制前沿消隱（LEB）
管腳懸空保護(hù)
VDD 過欠壓保護(hù)和箝位保護(hù)
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