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開關(guān)電源芯片SF1538DP帶來多重禮遇

2024-03-01 14:51:26 

工程師們在開關(guān)電源適配器的新產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計過程中,通常會為所設(shè)計的新產(chǎn)品添加一些保護措施以此來避免開關(guān)電源適配器在使用過程中出現(xiàn)短路或元件損壞、使其工作壽命縮短。能夠讓適配器的使用壽命得到延長,其中一個有效方式,就是選擇更安全、更高效的開關(guān)電源芯片。今天就為大家分享一顆來自深圳銀聯(lián)寶科技的優(yōu)質(zhì)開關(guān)電源芯片SF1538DP

開關(guān)電源芯片SF1538DP主要特性如下

*內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V

*可編程外部過溫保護OTP

*專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗

*內(nèi)置軟啟動,管腳浮空保護

*超低啟動電流

*內(nèi)置頻率抖動改善EMI

*內(nèi)置同步斜率補償,逐周期電流限制

*內(nèi)置前沿消隱

開關(guān)電源芯片SF1538DP230VAC(±15%)下,典型輸出功率18W-26W;在85-265VAC下,典型輸出功率15W-18W。支持手持數(shù)碼適配器,電視、電腦輔助電源,手機、平板充電器,LED驅(qū)動電源和替代線性電源等應(yīng)用。

開關(guān)電源芯片SF1538DP主引腳說明:

1 RT 此引腳是控制開關(guān)頻率。

2 VDD 芯片供電腳。

3 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。

4 CS 電流采樣輸入腳。

5-6 Drain 內(nèi)置功率MOSFET漏極。

7-8 GND 芯片參考地。

副邊反饋控制(SSR)方案,空載范圍大都可以空載在±0.2V以內(nèi),動態(tài)調(diào)整率較好。比如在充電器領(lǐng)域,直接對電池充電的應(yīng)用,一般會對空載電壓精度要求高,可以選擇副邊電源IC+恒流芯片來做。選擇開關(guān)電源芯片SF1538DP既可達到要求,又可以節(jié)約成本,何樂而不為?!

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